[发明专利]用于提纯半导体材料的包括等离子体焰炬的设备

权利要求书

1.一种用于提纯半导体材料(44)的装置(10)，该装置包括包含至少一种中性气体的大气的至少一个外壳，以及在该外壳中包括：

熔炉(30)，该熔炉预要包含熔融状态的半导体材料；

等离子体焰炬(40)，该等离子体焰炬预要从熔炉中熔化的半导体材料中移除杂质；以及

密封系统(50)，该密封系统预要在熔炉与等离子体焰炬之间限定密封容积(69)，该密封系统包括用于排出由提纯熔化的硅产生的气态化合物和/或粒子的系统(54)，

其特征在于：排出系统包括具有圆柱形部分(72)的至少一个吸力开口(70)，所述圆柱形部分(72)延伸到渐变进密封容积的喇叭口形部分(76)。

2.根据权利要求1所述的提纯装置，包括用于清洗吸力开口(70)的系统，该系统能够在等离子体焰炬(40)操作期间在开口上实施清洗操作。

3.根据权利要求1或2所述的提纯装置，其中密封系统(50)包括在密封容积(69)外围的第一环状部分(54)，该第一环状部分(54)包括内部侧壁(66)，喇叭口形部分(76)出现在该内部侧壁的平面处。

4.根据前述权利要求中任一项所述的提纯装置，包括在与喇叭口形部分(76)相对的一侧上继续延伸开口(70)的空心管(80)，该管的长度大于环状部分的直径。

5.根据权利要求4所述的提纯装置，其中等离子体焰炬(40)沿第一方向(D)定位，管(80)是直线的并且沿第二方向(D′)延伸，该第二方向相对于第一方向倾斜的角度范围在20°和90°之间。

6.根据权利要求3所述的提纯装置，其中外壳包括盖子(12)，在与该盖子相对的一侧第一环状部分(54)具有表面(65)，该装置包括在第一环状部分(54)的外围分布的多个爪(90)，每个爪被连接到所述表面和该盖子。

7.根据权利要求3所述的提纯装置，其中该密封系统(50)还包括：

第一材料的第二环状部分(56)，该第二环状部分环绕等离子体焰炬(40)；以及

与第一材料不同的第二材料的第三环状部分(58)，该第三环状部分环绕第二环状部分并且包括预要面向半导体材料(44)的壁(60)，第一环状部分(54)环绕第三环状部分。

8.根据权利要求7所述的提纯装置，其中第三环状部分(58)由至少两个相互连接的部分(58A、58B)形成。

9.根据权利要求7或8所述的提纯装置，其中喇叭口形部分(76)与包含第三环状部分(58)的壁(60)的平面相切。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的提纯装置，其中喇叭口形部分(76)除了在最接近和最远离第三环状部分(58)的壁(60)的那部分上之外，喇叭口形部分(76)在所有点上与第一环状部分(54)的内壁(66)相切。