[发明专利]纳米结构及其制造方法

权利要求书

1.一种纳米结构(10，10’，10”，10”’)，包括：

高度导电的微晶层(18)，所述高度导电的微晶层(18)包括微晶材料和金属；

双极纳米线(16)，所述双极纳米线(16)具有一个附接到所述高度导电的微晶层(18)的末端；以及

其它的层(18，30)，所述其它的层(18，30)附接到所述双极纳米线(16)的另一个末端。

2.如权利要求1所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，其特征在于，

所述双极纳米线(16)是在所述高度导电的微晶层(18)与所述其它的层(18，30)之间是随机地取向的。

3.如权利要求1或2所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，其特征在于，

所述双极纳米线(16)包括第一导电类型的第一部分(S₁)以及第二导电类型的第二部分(S₃)，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。

4.如权利要求3所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，其特征在于，

所述双极纳米线(16)还包括位于第一和第二部分(S₁，S₃)之间的第三部分(S₂)，其中所述第三部分(S₂)是未掺杂的本征半导体区域。

5.如权利要求1到4中任一项所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，还包括：

位于所述高度导电的微晶层(18)与所述其它的层(18，30)之间的多个双极纳米线(16)，其中所述多个双极纳米线(16)中的每一个都包括第一导电类型的第一部分(S₁)以及第二导电类型的第二部分(S₃)，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。

6.如权利要求5所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，还包括：

设立于相邻的双极纳米线(16)之间的材料(34)，其中所述材料(34)选自氟化钙、氮化硅、二氧化硅、碳化硅、旋装玻璃以及它们的组合。

7.如权利要求1到6中任一项所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，还包括：

基板(14)，所述高度导电的微晶层(18)被设立于所述基板(14)上；以及

设立于所述高度导电的微晶层(18)与所述基板(14)之间的导电氧化物层(32)。

8.如权利要求1到7中任一项所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，还包括：

形成于所述双极纳米线(16)的第一和第二部分(S₁，S₃)之间的量子阱。

9.如权利要求1到8中任一项所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，其特征在于，

所述高度导电的微晶层(18)包括硅化物、锗化物、或硅与锗的合金。

10.如权利要求1到9中任一项所述的纳米结构(10，10’，10”，10”’)，其特征在于，

所述高度导电的微晶层(18)具有约1μohm/cm到约100μohms/cm的电阻率。

11.一种用于制造纳米结构(10，10’，10”，10”’)的方法，包括：

形成高度导电的微晶层(18)；以及

生长双极纳米线(16)，使得所述双极纳米线(16)的一个末端附接到所述高度导电的微晶层(18)，并且所述双极纳米线(16)的另一个末端附接到其它的层(18，30)。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

从所述高度导电的微晶层(18)生长多个双极纳米线(16)；

在相邻的双极纳米线(16)之间以及在所述多个双极纳米线(16)中的每一个的另一个末端之上设立材料(34)；

除去所述材料(34)，使得所述多个双极纳米线(16)中的每一个的一个末端露出来；以及

设立所述其它的层(18，30)，使得它附接到所述多个双极纳米线(16)中的每一个的露出的末端。