[发明专利]谐振体晶体管和振荡器

权利要求书

1.一种谐振体，包括：

反转栅极；

积累栅极；

中心区域；

耦合至所述中心区域的源极触点；

耦合至所述中心区域的漏极触点；

耦合在所述反转栅极与所述中心区域之间的第一电介质层；以及

耦合在所述积累栅极与所述中心区域之间的第二电介质层。

2.根据权利要求1所述的谐振体，其中，所述中心区域包括：

耦合至所述反转栅极和所述积累栅极的有源区域；

耦合至所述源极触点的源极；以及

耦合至所述漏极触点的漏极。

3.根据权利要求2所述的谐振体，其中，所述有源区域包括p型掺杂物。

4.根据权利要求2所述的谐振体，其中，所述有源区域包括n型掺杂物。

5.根据权利要求2所述的谐振体，其中，所述源极和漏极包括p型掺杂物。

6.根据权利要求2所述的谐振体，其中，所述源极和漏极包括n型掺杂物。

7.根据权利要求2所述的谐振体，其中，所述反转栅极至少延伸与所述有源区域长度一样的长度。

8.根据权利要求2所述的谐振体，其中，所述积累栅极至少延伸与所述有源区域长度一样的长度。

9.根据权利要求1所述的谐振体，其中，所述第一电介质层从由氧化物、二氧化硅、氮化硅、钛酸钡锶以及二氧化铪构成的组中选择。

10.根据权利要求1所述的谐振体，其中，所述第二电介质层从由氧化物、二氧化硅、氮化硅、钛酸钡锶以及二氧化铪构成的组中选择。

11.根据权利要求1所述的谐振体，其中，所述第一和第二电介质层具有基本相同的厚度。

12.根据权利要求1所述的谐振体，还包括耦合至所述源极的至少一个反馈电容器。

13.根据权利要求1所述的谐振体，其中，所述谐振体包括从由纵向延伸杆模式、厚度剪切模式、宽度延伸模式、以及厚度延伸模式构成的组中选择的谐振器模式。

14.根据权利要求1所述的谐振体，其中，所述谐振体包括从由矩形、方形、椭圆形、圆形、以及六边形构成的组中选择的形状。

15.一种谐振体晶体管，包括：

反转栅极电极；

积累栅极电极；

源极电极；

漏极电极；

多个锚梁；以及

谐振体，所述谐振体通过多个锚梁耦合至且悬挂于所述反转栅极电极、所述积累栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极。

16.根据权利要求15所述的谐振体晶体管，其中，所述谐振体包括：

耦合至所述反转栅极电极的反转栅极；

耦合至所述积累栅极电极的积累栅极；

中心区域；

耦合至所述中心区域及所述源极电极的源极触点；

耦合至所述中心区域及所述漏极电极的漏极触点；

耦合在所述反转栅极和所述中心区域之间的第一电介质层；以及

耦合在所述积累栅极和所述中心区域之间的第二电介质层。

17.根据权利要求16所述的谐振体晶体管，其中，所述中心区域包括：

耦合至所述反转栅极和所述积累栅极的有源区域；

耦合至所述源极触点的源极；以及

耦合至所述漏极触点的漏极。

18.根据权利要求17所述的谐振体晶体管，其中，所述有源区域包括p型掺杂物。

19.根据权利要求17所述的谐振体晶体管，其中，所述有源区域包括n型掺杂物。

20.根据权利要求17所述的谐振体晶体管，其中，所述源极和漏极包括p型掺杂物。

21.根据权利要求17所述的谐振体晶体管，其中，所述源极和漏极包括n型掺杂物。

22.根据权利要求17所述的谐振体晶体管，其中，所述反转栅极至少延伸与所述有源区域长度一样的长度。

23.根据权利要求17所述的谐振体晶体管，其中，所述积累栅极至少延伸与所述有源区域长度一样的长度。