[发明专利]离子阱的端盖电压控制无效
申请号: | 200880126515.9 | 申请日: | 2008-12-10 |
公开(公告)号: | CN101971290A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 戴维·拉弗蒂 | 申请(专利权)人: | 航天技术公司 |
主分类号: | H01J49/00 | 分类号: | H01J49/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 电压 控制 | ||
1.一种离子阱,包括:
导电的环形中央电极,具有从第一开放端延伸到第二开放端的第一孔径;
信号源,在第一和第二端子之间产生具有至少一个交流(AC)分量的俘获信号,其中第一端子耦接到中央电极,而第二端子耦接到参考电压电势;
导电的第一电极端盖,布置为与中央电极的第一开放端相邻并且耦接到参考电压电势,其中在第一电极端盖的表面与中央电极的第一开放端的表面之间形成第一固有电容;以及
导电的第二电极端盖,布置为与中央电极的第二开放端相邻并且利用第一电路耦接到参考电压电势,其中在第二电极端盖的表面与中央电极的第二开放端的表面之间形成第二固有电容,其中响应于通过第二固有电容和第一电路的阻抗对俘获信号的分压,将俘获信号的一部分加压于第二电极端盖上。
2.如权利要求1所述的离子阱,其中第一电路包括与电阻器并联的电容器。
3.如权利要求2所述的离子阱,其中该电阻器的阻抗大于在俘获信号的频率处该电容器的阻抗的四分之一。
4.如权利要求1所述的离子阱,其中参考电压电势是地或零伏特。
5.如权利要求1所述的离子阱,其中参考电压电势是可调整的DC电压。
6.如权利要求1所述的离子阱,其中电容器是可变电容器,能够调整以优化离子阱的操作特征。
7.一种离子阱,包括:
具有孔径的中央电极;
具有孔径的第一端盖电极;
具有孔径的第二端盖电极;
施加到中央电极的第一电信号源;
无源元件的电路;
所述第一端盖电极与所述无源元件的电路之间的电连接;以及
所述无源元件的电路与电压电势之间的电连接,其中经由所述无源元件的电路连接到所述电压电势的所述第一端盖电极负担由所述第一电信号源与所述无源元件的电路之间的电容耦合引起的电压。
8.如权利要求7所述的离子阱,还包括开关电路,其将所述第一端盖电极与所述无源元件的电路电连接和断开。
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