[发明专利]反向导通半导体器件及用于制造这样的反向导通半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，其包括在第一导电类型的共用晶圆(11)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，其中所述绝缘栅双极晶体管包括发射极侧(101)和集电极侧(102)，其中

提供具有第一侧(111)和在所述第一侧(111)相对侧的第二侧(112)的所述晶圆(11)，所述第一侧(111)形成所述发射极侧(101)而所述第二侧(112)形成所述绝缘栅双极晶体管的所述集电极侧(102)，以及

对于在所述集电极侧(102)上所述反向导通半导体器件(10)的制造，进行以下步骤：

-在至少一与所述第三层(3)不同导电类型的第二层(2)在所述第二侧(112)上形成之前，至少一第一或第二导电类型的第三层(3)或具有与所述第三层(3)相同导电类型并且是连续层的第一层(32)在所述第二侧(112)上形成，所述至少一第二和第三层(2、3)在完成的反向导通半导体器件(10)中交替设置，由此

具有至少一个开口的荫罩掩模(12)应用在所述第二侧(112)上，所述荫罩掩模(12)不贴附到所述晶圆(11)，并且然后所述至少一第三层(3)通过所述荫罩掩模(12)的所述至少一个开口形成或

所述第一层(32)在所述第二侧(112)上形成，然后具有至少一个开口的荫罩掩模(12)应用在所述第一层(32)上并且作为所述完成的反向导通半导体器件(10)中的第二电接触(9)的一部分的至少一个导电岛(91)通过所述荫罩掩模(12)的所述至少一个开口形成，

所述至少一个导电岛(91)用作所述至少一第二层(2)的形成的掩模，并且由导电岛(91)覆盖的第一层(32)的那些部分形成所述至少一第三层(3)，以及

-然后在所述第二侧(112)上形成第二电接触(9)，其与所述至少一第二和第三层(2、3)直接电接触。

2.如权利要求1所述的用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，特征在于，荫罩掩模(12)应用于所述至少一第三层(3)的制造，并且在于，所述至少一第三层(3)通过粒子沉积形成，特别地通过预掺杂非晶硅的粒子沉积。

3.如权利要求2所述的用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，特征在于，在所述至少一第三层(3)的形成之后，所述荫罩掩模(12)用于至少一个导电岛(91)的形成，

并且在于，然后所述荫罩掩模(12)去除，并且在于，所述至少一第二层(2)使用所述至少一个导电岛(91)作为掩模、特别地通过离子注入来形成。

4.如权利要求2所述的用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，特征在于，在所述至少一第三层(3)的形成之后，所述荫罩掩模(12)去除，并且在于，所述至少一第二层(2)用所述至少一第二层(2)的掺杂不超过所述至少一第三层(3)的掺杂的这样的掺杂通过离子注入形成。

5.如权利要求1所述的用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，特征在于，所述第一层(32)通过离子注入或通过粒子沉积、特别地是预掺杂非晶硅的粒子沉积来形成。

6.如权利要求5所述的用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，特征在于，在所述至少一个导电岛(91)的形成之后，所述荫罩掩模(12)去除，特征在于，不被导电岛(91)覆盖的所述第一层(32)的那些部分特别地通过蚀刻去除，并且特征在于，所述至少一第二层(2)使用所述至少一个导电岛(91)作为掩模形成，特别地所述至少一第二层(2)通过注入形成。

7.如权利要求5所述的用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，特征在于，在所述至少一个导电岛(91)的形成之后，所述荫罩掩模(12)去除，并且特征在于，所述至少一第二层(2)用所述至少一第二层(2)的掺杂超过所述至少一第三层(3)的掺杂的这样的掺杂通过离子注入形成。

8.如权利要求1至7中任一项所述的用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，特征在于

执行用于所述至少一第三层(3)或第一层(32)和/或所述至少一第二层(2)的激活的退火步骤。

9.如权利要求1至8中任一项所述的用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，特征在于

用于所述至少一第二层(2)的激活的退火步骤与所述第二电接触(9)的形成同时执行。