[发明专利]构造提供相对于晶圆的均匀流体流的临近头的方法

权利要求书

1.一种构造临近头以通过该头中的多个流体输送流路径并向半导体晶圆的表面上输送流体的方法，该方法包括：

(a)提供具有第一吻合表面的第一块；

(b)提供具有第二吻合表面的第二块；

(c)在该第一块中执行第一系列操作，该第一系列操作包括：

(i)形成主流体流路径；

(ii)形成连接到该主流体流路径的多个连接件流体流路径；

(iii)在该第一块中形成高阻滞流体流路径，该高阻滞流体流路径具有十字形横截面，该横截面包括稳压室和开放于该稳压室的阻滞孔；

(d)在该第二块中执行第二系列操作，该第二系列操作包括：

(i)形成通过该第二吻合表面进入该第二块的该稳压室的一部分；以及

(ii)构造多个流体输送孔，该多个流体输送孔在该第二块中并与该稳压室的该部分相交；

(e)熔接该第一和第二吻合表面以使该第一和第二块成为整体，其中该稳压室开放于该多个流体输送孔和该高阻滞流体流路径的该十字形横截面两者并位于该两者之间，该熔接限定用于向该半导体晶圆的该表面输送流体的该临近头。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成容纳在该阻滞孔中的阻滞器，该阻滞器被构造为被插入该阻滞孔中以在该主流体流路径和该流体输送孔之间制造该高阻滞流体流路径。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该高阻滞是相对于该主流体流路径和该多个流体输送孔以及该连接件流体流路径的流体流阻滞的。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在该多个流体输送孔的每一个中流动的流体处于一个流速值，该流速值相对于在所有其它流体输送孔中流动的流体的流速值基本上一致。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该第一块中的该高阻滞流体流路径包括在该十字形横截面的交叉处限定该阻滞孔，并将该阻滞孔的横截面限定为该高阻滞流体流路径的外部。

6.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

构造该阻滞器的横截面以限定延长的外部阻滞器表面，该外部阻滞器表面沿着该阻滞孔的表面并与该阻滞孔的该表面紧密间隔延伸。

7.根据权利要求2所述的方法，其中该阻滞器被构造为将该高阻滞流体流路径限定为在该X轴和该Z轴和该X轴方向上围绕阻滞器表面延伸的弯曲流路径。

8.根据权利要求2所述的方法，其中该阻滞孔的该横截面被限定为圆形。

9.根据权利要求8所述的方法，其中该阻滞器具有非圆形的形状。

10.根据权利要求1所述的方法，其中该第一和第二块是从由聚偏二氟乙烯和乙烯-三氟氯乙烯的一个或更多组成的组中选择的材料限定的。

11.根据权利要求1所述的方法，其中熔接操作包括熔化邻近每一个吻合表面的材料，并将各块的相应的熔化的吻合表面朝彼此按压以迫使相应的熔化的材料流到一起并使各块形成单件。

12.根据权利要求1所述的方法，其中熔接操作包括：

提供热能源，该源具有对应于每一个相应的吻合表面的热传递侧面；

安装该块，其中每一个相应的吻合表面在该热能传递侧面之间；

保持每一个相应的吻合表面和相应的热传递侧面平行，同时移动该表面和该侧面到紧密的、非接触的临近；

保持每个相应的吻合表面和相应的热传递侧面的该紧密的、非接触的临近，同时向每个相应的吻合表面传递热能以熔化每个相应的吻合表面；

从该相应的吻合表面之间快速除去该源；

朝彼此按压各块以迫使熔化的吻合表面以一熔接力彼此接触；以及

允许被熔化的和迫使的吻合表面响应该恒定的熔接力保持接触，直到该被迫使的吻合表面已经熔接。