[发明专利]用于大容量以及大电流的电迁移测试器

权利要求书

1.一种进行电子被测器件(DUT)的电磁测试的方法，所述方法包括：

将所述DUT引入电路，所述电路包括：

受控电流源，其中所述受控电流源具有与所述DUT串联连接的输出电流；以及

与所述DUT并联连接的电压限制器，所述电压限制器的特征在于：

当所述输出电流使得在没有所述电压限制器就位的情况下跨所述DUT的电压(Vdut)将超过特定的最大电压Vmax时，所述输出电流中的至少一部分流过所述电压限制器，以将Vdut限制为小于或者等于Vmax；并且

当所述输出电流使得Vdut将小于或者等于Vmax时，电流不流过所述电压限制器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述电压限制器的特征在于二极管的电流-电压特性。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述电压限制器的特征在于硅结二极管的电流-电压特性。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述电压限制器的特征在于肖特基二极管的电流-电压特性。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述电压限制器包括多个串联的二极管。

6.一种同时进行多个电子DUT的电磁测试的方法，所述方法包括：

将所述多个DUT引入电路，所述电路包括：

受控电流源，其中所述受控电流源具有与所述DUT串联连接的输出电流；以及

多个电压限制器，使得每个DUT具有与该DUT并联连接的对应的电压限制器，其中：

当所述输出电流使得在没有对应于该DUT的电压限制器就位的情况下跨该DUT的电压(Vdut)将超过该DUT的特定的最大电压Vmax时，所述输出电流中的至少一部分流过对应于该DUT的电压限制器，以将该DUT的Vdut限制为小于或者等于该DUT的Vmax；并且

当所述输出电流使得Vdut将小于或者等于Vmax时，电流不流过所述电压限制器。

7.一种被配置用于DUT的电磁测试的电路，所述电路包括：

受控电流源，其中所述受控电流源具有与所述DUT串联连接的输出电流；以及

与所述DUT并联连接的电压限制器，所述电压限制器的特征在于：

当所述输出电流使得在没有所述电压限制器就位的情况下跨所述DUT的电压(Vdut)将超过特定的最大电压Vmax时，所述输出电流中的至少一部分流过所述电压限制器，以将Vdut限制为小于或者等于Vmax；并且

当所述输出电流使得Vdut将小于或者等于Vmax时，电流不流过所述电压限制器。

8.一种被配置用于同时对多个电子DUT进行电磁测试的电路，所述电路包括：

受控电流源，其中所述受控电流源具有与所述DUT串联连接的输出电流；以及

多个电压限制器，使得每个DUT具有与该DUT并联连接的对应的电压限制器，

其中所述电路被配置使得，

当所述输出电流使得在没有对应于该DUT的电压限制器就位的情况下跨该DUT的电压(Vdut)将超过该DUT的特定的最大电压Vmax时，所述输出电流中的至少一部分流过对应于该DUT的电压限制器，以将该DUT的Vdut限制为小于或者等于该DUT的Vmax；并且

当所述输出电流使得Vdut将小于或者等于Vmax时，电流不流过所述电压限制器。