[发明专利]用于有机发光器件的基板、以及包括该基板的有机发光器件无效
申请号: | 200880127568.2 | 申请日: | 2008-12-23 |
公开(公告)号: | CN101960638A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | G·勒康;F-J·维尔默施;S·恰库罗夫;H·热拉尔丹;A·贾斯 | 申请(专利权)人: | 法国圣-戈班玻璃公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东;谭邦会 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 发光 器件 以及 包括 | ||
1.用于有机发光器件(10)的基板,其包括光学指数为n0的透明基板(1),该基板(1)载有在第一主面(11)上被称为下电极的电极(3)的第一透明或半透明涂层,并且该下电极包括层叠的以下各层:
-具有给定的光学厚度L1、且具有光学指数n1的抗反射子层,使得n1与n0的比率大于或等于6/5;
-具有给定厚度e1的第一金属层(30),其布置在抗反射子层上;
-适配逸出功的覆盖层(35),其具有给定的厚度e3,并布置在第一金属层上;
其特征在于,下电极(3)还包括:
-第一隔离层,其具有给定的光学厚度L2,并布置在第一金属层之上且在覆盖层之下;
-第二金属层(30′),其具有本征的导电性能,并具有给定的厚度e2,此第二层布置在第一隔离层与覆盖层之间;
其特征在于,L1为20nm-120nm,L2为75nm-200nm,第一和第二金属层的厚度之和e1+e2小于或等于40nm;
并且其特征在于,下电极的薄层电阻小于或等于6Ω/carré。
2.权利要求1的基板(1),其特征在于,L1小于或等于100nm,优选小于或等于80nm,并且/或者L2小于或等于160nm,优选130nm。
3.前述权利要求之一的基板(1),其特征在于,L1小于L2。
4.前述权利要求之一的基板(1),其特征在于,第一和第二金属层(30,30′)基于银,第一金属层的厚度e1小于或等于15nm,并且/或者第二金属层的厚度e2小于或等于15nm,且优选地,厚度e1大于厚度e2。
5.前述权利要求之一的基板(1),其特征在于,下电极的薄层电阻小于或等于3Ω/carré。
6.前述权利要求之一的基板(1),其特征在于,抗反射子层包括厚度大于或等于3nm的基层(2),所述基层对碱金属形成阻隔层和/或蚀刻终止层,基层优选基本上覆盖基板的所述主面(11),并且由基于氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、或碳氧氮化硅的任选掺杂的材料制成。
7.前述权利要求之一的基板(1),其特征在于,抗反射子层包括称为第一接触层(32)的基于金属氧化物和/或金属氮化物的层,其下邻第一金属层,并且/或者第一隔离层包括称为第二接触层(32′)的基于金属氧化物和/或金属氮化物的层,其下邻第二金属层。
8.权利要求7的基板(1),其特征在于,第一和/或第二接触层(32,32′)基于任选掺杂的以下金属氧化物之一:氧化铬、氧化铟、任选不足化学计量的氧化锌、氧化铝、氧化钛、氧化钼、氧化锆、氧化锑、氧化锡、氧化钽或氧化硅,并且特征在于,第一和/或第二接触层的厚度优选大于或等于3nm。
9.权利要求7-8之一的基板(1),其特征在于,第一和/或第二接触层(32,32′)基于掺杂或未掺杂的氧化锌。
10.权利要求7-9之一的基板(1),其特征在于,抗反射子层包括由单一或混合的氧化物制成的第一非结晶平滑层(31),所述平滑层(31)紧接布置在所述第一接触层(32)之下,并且由不同于第一接触层的材料制成,且优选直接在基板之上。
11.权利要求7-10之一的基板(1),其特征在于,第一隔离层包括由单一或混合的氧化物制成的第二非结晶平滑层(31′),所述第二平滑层(31′)紧接布置在所述第二接触层(32′)之下,并且由不同于第二接触层的材料制成。
12.权利要求10-11之一的基板(1),其特征在于,第一和/或第二平滑层(31,31′)为基于单一或混合的氧化物的层,并基于以下金属的一种或多种:Sn、Si、Ti、Zr、Hf、Zn、Ga、In,尤其是基于锌和锡的SnxZnyOz的混合氧化物层,或基于混合氧化铟锡(ITO)层,或基于混合氧化铟锌(IZO)层。
13.权利要求10-12之一的基板(1),其特征在于,子层几何厚度的至少60%由第一平滑层组成,并且/或者第一隔离层几何厚度的至少60%由第二平滑层组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择