[发明专利]等离子体系统

权利要求书

1.一种用于等离子体增强化学气相沉积的等离子体系统，所述系统包括：

真空室，

至少两个电极，

基板，以及

待电离的物质，用于沉积在所述基板的至少一个期望表面上，

其中，所述基板包括具有两端的管状工件，所述两端中的至少一端是开放端，所述开放端由可去除端帽以由所述工件和所述帽限定所述真空室的方式封闭，并且其中，所述工件限定所述电极中的一个电极，所述电极中的另一个电极延伸穿过所述端帽并进入所述工件中，并且所述基板的至少一个期望表面由所述管状工件的内表面限定。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述至少两个电极包括由所述管状工件形成的外围电极和由所述另一个电极形成的中心电极。

3.根据权利要求2所述的系统，其中，所述中心电极包括具有与所述真空室流体连通的多个管道的管状电极。

4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述管状电极的多个管道包括至少一个用于引导工艺气体进入所述真空室中的气体管道、至少一个用于引导前体物质进入所述真空室中的前体管道、以及至少一个用于在所述真空室中产生真空的真空管道。

5.根据权利要求4所述的系统，其中，所述气体管道、所述前体管道和所述真空管道同心地布置在所述管状电极中。

6.根据权利要求4所述的系统，其中，每个所述气体管道和所述前体管道均设置有进入所述真空室中的扩散喷嘴，并且所述真空管道设置有至少一个通向所述真空室中的抽吸端口。

7.根据权利要求4所述的系统，其中，所述管状电极具有至少一个位于所述工件外部的外端，并且所述外端包括所述气体管道的至少一个气体连接端口、所述气体管道的至少一个前体连接端口和所述真空管道的至少一个真空连接端口，所述至少一个气体连接端口连接至工艺气体源，所述至少一个前体连接端口连接至前体物质源，并且所述至少一个真空连接端口连接至真空泵。

8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述工艺气体选自由氩气、氢气、氮气、氦气、甲烷、氧气、及其混合物组成的组中。

9.根据权利要求7所述的系统，其中，所述前体物质选自由二氯甲硅烷、硅烷和氧化物、氨气、氮气、钛酸盐、铬酸盐、铝酸盐、及其混合物组成的组中。

10.根据权利要求7所述的系统，其中，所述基板选自由金属、玻璃、塑料、陶瓷、碳纤维、及其混合物组成的组中。

11.根据权利要求2所述的系统，其中，所述工件选自由管子、管道、桶、鼓、球形容器、及其组合组成的组中。

12.根据权利要求4所述的系统，其中，由所述管状工件形成的所述外围电极是具有两个开放端的管子，并且所述至少一个可去除端帽包括封闭每个开放端的一个可去除端帽，并且所述中心电极沿着所述管子的中心纵向地延伸，所述中心电极以保持所述真空室封闭且保持与所述帽电绝缘的方式穿过所述端帽，所述中心电极具有位于所述真空室外部的两端。