[发明专利]逆变电路、背光装置以及显示装置无效

专利信息
申请号: 200880128068.0 申请日: 2008-11-10
公开(公告)号: CN101971706A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 荒井政广 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H05B41/24 分类号: H05B41/24
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电路 背光 装置 以及 显示装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及逆变电路、背光装置以及显示装置,特别涉及驱动荧光灯的逆变电路、具备该逆变电路的背光装置以及显示装置。

背景技术

在以往,已知具备驱动荧光灯的逆变电路的背光装置(例如,参照专利文献1)。在该专利文献1中,公开了具备冷阴极管(荧光灯)和逆变电路的背光源(背光装置)。该逆变电路包含:驱动电路,其用于驱动冷阴极管;电压转换器(变压器),其被连接到冷阴极管和驱动电路;管电流检测电路,其被连接到冷阴极管并且检测在冷阴极管中流过的管电流;以及振荡电路,其被连接到管电流检测电路和驱动电路。

在上述专利文献1中,采用如下结构:管电流检测电路检测在冷阴极管中流过的管电流,并且根据检测出的管电流来控制振荡电路输出到驱动电路和电压转换器的信号。由此,控制从电压转换器输出到冷阴极管的电流(管电流)。

专利文献1:日本特开2006-39345号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是,在如上述专利文献1所述的背光装置中,通常,冷阴极管(荧光灯)由数十kHz的高频率驱动,在由管电流检测电路检测的信号中,叠加了数百kHz的高次谐波。因此,会有如下问题:由连接冷阴极管和管电流检测电路的配线部分产生的磁场变大,因此,EMI(Electro Magnetic Interference;电磁干扰)的强度增大了。

本发明是为了解决上述问题而完成的,本发明的目的在于提供能够抑制EMI强度增大的逆变电路、背光装置以及显示装置。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的,本发明的第1方案的逆变电路是驱动荧光灯的逆变电路,具备:驱动电路:其输出用于驱动荧光灯的脉冲信号;变压器:其一次绕组被连接到驱动电路,并且二次绕组的一端被连接到荧光灯,将与脉冲信号对应的驱动信号输出到荧光灯;检测控制电路,其检测与输入到荧光灯的驱动信号对应的第1信号;第1配线:其连接变压器的二次绕组的另一端和检测控制电路,并且流过第1信号;以及第2配线,其与第1配线之间所产生的磁场相互抵消,或者所产生的磁场变得平滑,驱动电路根据由检测控制电路检测出的第1信号来控制输出到变压器的脉冲信号。

在该第1方案的逆变电路中,如上所述,设置第2配线,其与第1配线之间所产生的磁场相互抵消,或者所产生的磁场变得平滑,由此能够使由第1配线和第2配线产生的磁场相互抵消或者变得平滑(固定化),因此即使由第1配线产生的磁场大的情况下,也能够抑制EMI强度的增大。

另外,在第1方案的逆变电路中,如上所述,使驱动电路构成为根据由检测控制电路检测出的第1信号来控制输出到变压器的脉冲信号,由此能够控制输入到荧光灯的驱动信号,因此能够固定例如荧光灯的亮度。

在上述第1方案的逆变电路中,优选第1配线和第2配线采用双绞线结构,在第2配线中流过第2信号,上述第2信号相对于在第1配线中流过的第1信号相位相反。如果这样构成的话,能够容易地使由第1配线和第2配线产生的磁场相互抵消,因此能够容易地降低EMI强度。另外,使第1配线和第2配线采用双绞线结构,由此还能够使由第1配线和第2配线产生的磁场以外的能量等相互抵消,因此,能够进一步降低EMI强度。

在上述第1配线和第2配线采用双绞线结构的逆变电路中,优选第2配线包括GND配线。如果这样构成的话,在第1信号流过第1配线的情况下,在第2配线中,流过相对于第1信号相位相反的第2信号。由此,能够容易地使由第1配线和第2配线产生的磁场相互抵消。

在上述第2配线包括GND配线的逆变电路中,优选第2配线被连接到检测控制电路的GND端子。如果这样构成的话,能够利用GND配线容易地构成第2配线。另外,将第2配线连接到检测控制电路的GND端子,由此能够使第1配线和第2配线的双绞线结构形成得更长,因此,能够有效地降低EMI强度。

在上述第1方案的逆变电路中,优选荧光灯包含一对荧光灯,变压器包含被分别连接到一对荧光灯的一对变压器,第1配线被连接到一对变压器的一方和检测控制电路,第2配线被连接到一对变压器的另一方和检测控制电路,在第2配线中流过第3信号,上述第3信号相对于在第1配线中流过的第1信号正负相反。如果这样构成的话,能够容易地使由第1配线和第2配线产生的磁场相互抵消,因此,能够容易地降低EMI强度。

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