[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

半导体激光元件，其具有用于出射激光的第一出射面；

支撑基底，其具有在表面上的凹部，并以将所述第一出射面暴露到所述凹部的底面的方式支撑所述半导体激光元件；

导光体，其被掩埋在所述支撑基底的所述凹部中，导引从所述半导体激光元件出射的所述激光，并具有入射面和第二出射面，所述激光进入所述入射面，行进通过所述导光体的所述激光从所述第二出射面出射，所述导光体的所述入射面为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及

荧光物质，其被散布在所述导光体中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。

2.根据权利要求1的器件，其中所述半导体激光元件的发射波长在300nm到500nm的范围内。

3.根据权利要求1的器件，其中所述导光体被形成有基于硅的树脂、聚合物、聚酰亚胺、陶瓷和玻璃中的一种或其混合物。

4.根据权利要求1的器件，其中所述导光体具有层叠结构，所述层叠结构被形成有第一导光构件和由与所述第一导光构件不同的材料构成的第二导光构件。

5.根据权利要求1的器件，其中所述荧光物质包含钇铝石榴石材料、铽铝石榴石材料、锌的硒硫化物、以及氮化的硅铝中的一种。

6.根据权利要求1的器件，还包括：

光反射膜，其被形成在所述支撑基底的所述凹部的表面上。

7.根据权利要求1的器件，其中所述荧光物质沿所述第二出射面分布。

8.根据权利要求1的器件，其中所述预定范围为θ_B-10°到θ_B+5°的范围，其中θ_B表示布儒斯特角。

9.一种发光器件，包括：

第一和第二半导体激光元件，其分别具有用于出射激光的第一和第二出射面；

支撑基底，其具有在表面上的凹部，并以将所述第一和第二出射面暴露到所述凹部的底面的方式支撑所述第一和第二半导体激光元件；

导光体，其被掩埋在所述支撑基底的所述凹部中，导引从所述第一和第二半导体激光元件中的每一个出射的所述激光，并具有入射面和第三出射面，从所述第一和第二半导体激光元件中的每一个出射的所述激光进入所述入射面，行进通过所述导光体的所述激光从所述第三出射面出射，所述导光体的所述入射面为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及

荧光物质，其被散布在所述导光体中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。

10.根据权利要求9的器件，其中所述半导体激光元件中的每一个的发射波长在300nm到500nm的范围内。

11.根据权利要求9的器件，其中所述导光体被形成有基于硅的树脂、聚合物、聚酰亚胺、陶瓷和玻璃中的一种或其混合物。

12.根据权利要求9的器件，其中所述导光体具有层叠结构，所述层叠结构被形成有第一导光构件和由与所述第一导光构件不同的材料构成的第二导光构件。

13.根据权利要求9的器件，其中所述荧光物质包含钇铝石榴石材料、铽铝石榴石材料、锌的硒硫化物、以及氮化的硅铝中的一种。

14.根据权利要求9的器件，还包括：

光反射膜，其被形成在所述支撑基底的所述凹部的表面上。

15.根据权利要求9的器件，其中所述荧光物质沿所述第三出射面分布。

16.根据权利要求9的器件，其中所述预定范围为θ_B-10°到θ_B+5°的范围，其中θ_B表示布儒斯特角。