[发明专利]制备牢固的发光二极管的方法

权利要求书

1.一种制备发光二极管(LED)的方法，该方法包括：

在导电衬底上制备InGaAlN基多层LED结构；

穿透所述多层LED结构刻蚀出预定图案的凹槽，其中所述凹槽分隔出发光区域与非发光区域；

在所述发光区域和所述非发光区域上沉积电极材料，从而形成电极；

沉积覆盖所述发光和所述非发光区域的钝化层；以及

去除所述电极上的所述钝化层，使被所述电极材料和所述钝化层覆盖的所述非发光区域高于所述发光区域和所述电极，从而使所述发光区域避免与测试设备接触。

2.根据权利要求1的方法，其中制造所述InGaAlN基多层LED结构包括：通过在生长衬底上刻蚀出凹槽对所述生长衬底进行图形化，并因此在所述生长衬底上形成台面；

在所述生长衬底的各个所述台面上沉积所述InGaAlN-基多层结构；

在所述InGaAlN基多层上沉积金属邦定层；

在导电衬底上制备金属邦定层；

将所述InGaAlN基多层结构与所述导电衬底邦定；以及

去除所述生长衬底。

3.根据权利要求1的方法，所述预定图案是在所述LED结构的两个相对角上刻蚀得到的凹槽图案。

4.根据权利要求1的方法，其中所述预定图案是在所述LED结构上刻蚀的矩形或圆形图案的凹槽，其中所述发光区域被围在所述凹槽图案内。

5.根据权利要求1的方法，其中所述电极包括金-锗-镍合金。

6.根据权利要求1的方法，其中所述钝化层包括二氧化硅。

7.根据权利要求1的方法，其中去除所述电极上的所述钝化层包括应用光刻技术。

8.根据权利要求1的方法，其中被所述电极材料和所述钝化层覆盖的所述非发光区域高出所述发光区域和所述电极大约0.1μm～2μm。

9.根据权利要求8的方法，其中被所述电极材料和所述钝化层覆盖的所述非发光区域高出所述发光区域和所述电极大约0.5μm。

10.一种发光二极管(LED)，其制造过程包括：

在导电衬底上制备InGaAlN基多层LED结构；

穿透所述多层LED结构的有源区刻蚀出预定图案的凹槽，其中，所述凹槽分隔出发光区域和非发光区域；

在所述发光和所述非发光区域上沉积电极材料，从而形成电极；

沉积覆盖所述发光区域和所述非发光区域的钝化层；以及

去除所述电极上的所述钝化层，使被所述电极材料和所述钝化层覆盖的所述非发光区域高于所述发光区域和所述电极，从而使所述发光区域避免与测试设备接触。

11.根据权利要求10的方法，其中制造所述InGaAlN基多层LED结构包括：通过在生长衬底上刻蚀出凹槽对所述生长衬底进行图形化，并因此在所述生长衬底上得到台面；

在所述生长衬底上的各个所述台面上沉积所述InGaAlN基多层结构；

在所述InGaAlN基多层结构上沉积金属邦定层；

在导电衬底上制备金属邦定层；

将所述InGaAlN基多层结构与所述导电衬底邦定；以及

去除所述生长衬底。

12.根据权利要求10的方法，所述预定图案是在所述LED结构的两个相对角上刻蚀得到的凹槽图案。

13.根据权利要求10的方法，其中所述预定图案是在所述LED结构上刻蚀的矩形或圆形图案的凹槽，其中所述发光区域被围在所述凹槽图案内。

14.根据权利要求10的方法，其中所述电极包括金-锗-镍合金。

15.根据权利要求10的方法，其中所述钝化层包括二氧化硅。

16.根据权利要求10的方法，其中去除所述电极上的所述钝化层包括应用光刻技术。

17.根据权利要求10的方法，其中被所述电极材料和所述钝化层覆盖的所述非发光区域高出所述发光区域和所述电极0.1～2μm。

18.根据权利要求17的方法，其中被所述电极材料和所述钝化层覆盖的所述非发光区域高出所述发光区域和所述电极大约0.5μm。

19.根据权利要求10的方法，其中，所述LED的边缘或角高于所述发光区域。