[发明专利]电泳沉积的阴极电容器

权利要求书

1.一种电解电容器，包括：

金属壳；

设置于所述金属壳内的多孔片状阳极；

设置于所述金属壳内的电解质；

设置于所述金属壳内并围绕所述阳极的由具有厚度的电泳沉积的金属或金属氧化物的粉末形成的阴极元件；

连接至所述多孔片状阳极的第一引线电极；以及

电连接至所述阴极元件的第二引线。

2.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属或金属氧化物的所述厚度小于200mil(5080μm)。

3.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属或金属氧化物的所述厚度小于20mil(508μm)。

4.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属或金属氧化物的所述厚度小于10mil(254μm)。

5.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属或金属氧化物的电导率大于0.01西门子/cm。

6.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属或金属氧化物包括难熔金属。

7.如权利要求6所述的电解电容器，其中，所述难熔金属是钽。

8.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属或金属氧化物包括钽。

9.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属或金属氧化物包括氧化钌。

10.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属或金属氧化物包括钽或钌或它们的氧化物或其组合。

11.一种制造电解电容器的方法，包括：

提供金属壳；

在所述金属壳上电泳沉积难熔金属或难熔金属的氧化物以形成阴极元件；

将多孔片状阳极和电解质放置在所述罐子内，使得所述阴极元件和所述阳极元件由所述电解质分开。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在电泳沉积材料的步骤中，其中所沉积的材料的电导率大于0.01西门子/cm。

13.如权利要求11所述的方法，其中，电泳沉积难熔金属或难熔金属的氧化物的步骤包括电泳沉积钽。

14.如权利要求11所述的方法，其中，电泳沉积难熔金属或难熔金属的氧化物的步骤包括电泳沉积氧化钌。

15.如权利要求11所述的方法，其中，电泳沉积难熔金属或难熔金属的氧化物的步骤包括电泳沉积钽或钌或它们的氧化物或其组合。

16.如权利要求11所述的方法，其中，所述阴极元件具有小于200mil(5080μm)的均匀厚度。

17.如权利要求11所述的方法，其中，所述阴极元件具有小于20mil(508μm)的均匀厚度。

18.如权利要求11所述的方法，其中，所述阴极元件具有小于10mil(254μm)的均匀厚度。

19.一种电解电容器，包括：

金属壳；

设置于所述金属壳内的多孔片状阳极；

设置于所述金属壳内的电解质；

由厚度小于200mil(5080μm)的涂层形成的阴极元件；

连接至所述多孔片状阳极的第一引线电极；以及

电连接至所述阴极元件的第二引线。

20.如权利要求19所述的电解电容器，其中，所述涂层包括电导率大于0.01西门子/cm的材料。

21.如权利要求19所述的电解电容器，其中，所述涂层包括钽。

22.如权利要求19所述的电解电容器，其中，所述涂层包括氧化钽。

23.如权利要求19所述的电解电容器，其中，所述涂层包括难熔金属。

24.如权利要求19所述的电解电容器，其中，所述涂层包括难熔金属的氧化物。

25.如权利要求19所述的电解电容器，其中，所述涂层包括钽、钌、或它们的氧化物或其组合。

26.如权利要求19所述的电解电容器，其中，所述涂层是电泳沉积的。