[发明专利]将无源熔断器用作电子熔断器电路中的电流感测元件无效

专利信息
申请号: 200880128458.8 申请日: 2008-03-31
公开(公告)号: CN101983407A 公开(公告)日: 2011-03-02
发明(设计)人: P·R·阿特卢里;F·J·拉米雷斯 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;H01L21/82
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李娜;王洪斌
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 无源 熔断器 用作 电子 电路 中的 流感 元件
【权利要求书】:

1.一种系统,包括:

晶体管;

耦合到该晶体管的无源熔断器;和

耦合到该无源熔断器和晶体管的控制逻辑,

其中该控制逻辑感测该无源熔断器两端的电压降、将该无源熔断器两端的电压降转换为电流并且如果该控制逻辑所感测的电流超过预定的极限则发送信号到所述晶体管以将其关断。

2.权利要求1的系统,其中所述晶体管是金属氧化物场效应晶体管(“MOSFET”)。

3.权利要求1的系统,其中所述无源熔断器是20安培、32伏特的无源熔断器。

4.权利要求1的系统,其中所述控制逻辑不基于感测电阻器两端的电压降关断晶体管。

5.一种系统,包括:

逻辑电路;和

耦合到该逻辑电路的熔断器电路,

其中该熔断器电路包括晶体管;耦合到该晶体管的无源熔断器;和控制逻辑,所述控制逻辑感测该无源熔断器两端的电压降、将该无源熔断器两端的电压降转换为电流并且如果该控制逻辑所感测的电流超过预定的极限则发送信号到所述晶体管以将其关断。

6.权利要求5的系统,其中所述晶体管是金属氧化物场效应晶体管(“MOSFET”)。

7.权利要求5的系统,其中所述无源熔断器是20安培、32伏特的无源熔断器。

8.权利要求5的系统,其中所述控制逻辑不基于感测电阻器两端的电压降关断晶体管。

9.一种系统,包括:

用于监视无源熔断器两端的电压降的装置;和

用于在所述无源熔断器两端的电压降等同于高于预定水平的电流的情况下关断晶体管的装置。

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