[发明专利]具有孔隙网络的化学机械平坦化垫

权利要求书

1.一种制造抛光垫的方法，包括：

提供铸具，其具有第一腔室及第二腔室，其中所述第一腔室定义凹槽；

提供包含孔隙形成构件的聚合物基质材料至所述凹槽中；

形成抛光垫，且在用于化学/机械平坦化步骤之前，通过化学方法或机械方法中的一者，自所述抛光垫中移除至少一部分的所述构件，从而在所述抛光垫内形成孔隙空间。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物基质材料包括聚合物基质前驱物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，移除至少一部分的所述构件包括溶解所述构件。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构件是在加压的情况下被移除。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构件包括颗粒。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构件包括纤维。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构件包括织物。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构件包括可溶性材料。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构件是由中空纤维所形成。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔隙空间的直径为0.1微米或更大。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔隙空间是至少部分连通的。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔隙空间的长度对直径比为4∶1或更大。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CMP垫的孔隙体积可在0.1％至95％的范围，以所述垫的总体积计。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在用于化学/机械平坦化步骤之前包括在曝露至一抛光浆料之前。

15.一种用于抛光的装置，包括：

包括聚合物基质的抛光垫，具有多个定义在所述聚合物基质内的孔隙，其中所述孔隙的长度对直径比为4∶1或更大且所述孔隙是至少部分交互连通的。

16.如权利要求15所述的用于抛光的装置，其特征在于，所述孔隙的体积在0.1％至90％的范围，以所述垫的总体积计。

17.如权利要求15所述的用于抛光的装置，其特征在于，还包括构件。

18.如权利要求15所述的用于抛光的装置，其特征在于，所述孔隙是相对均匀地分布在所述垫的体积中。

19.如权利要求15所述的用于抛光的装置，其特征在于，所述孔隙在所述垫中是以体积梯度形式分布于其中。

20.一种抛光方法，包括：

提供具有表面的用于抛光的基材；

提供含水浆料至所述基材的所述表面的至少一部分上；

提供包括聚合物基质的抛光垫，具有多个定义在所述聚合物基质内的孔隙，其中所述孔隙的长度对直径比为4∶1或更大且所述孔隙是至少部分交互连通的；以及

通过所述基材、所述含水浆料及所述垫的交互作用而抛光所述表面。

21.一种用于抛光电子基材表面的抛光垫，包括：

包含孔隙的聚合物基质，其中所述垫具有用于抛光工作表面的第一工作表面及第二表面；

所述垫具有自所述工作表面延伸至所述第二表面的厚度T；

其中所述孔隙仅位于所述垫表面至0.95T厚度的区域内。

22.如权利要求21所述的抛光垫，其特征在于，所述孔隙，其中所述孔隙的长度对直径比为4∶1或更大且所述孔隙是至少部分交互连通的。

23.如权利要求21所述的抛光垫，其特征在于，所述孔隙仅位于所述垫表面至0.50T厚度的区域内。

24.如权利要求21所述的抛光垫，其特征在于，所述孔隙的直径为0.1微米或更大。

25.如权利要求21所述的抛光垫，其特征在于，所述孔隙是均匀分布在所述孔隙所在的区域内。

26.一种用于抛光电子基材表面的抛光垫，包括：

包含孔隙的聚合物基质，其中所述垫具有用于抛光工作表面的第一工作表面及第二表面；

所述垫具有自所述工作表面延伸至所述第二表面的厚度T；

其中所述抛光垫包含所述孔隙均匀分布的区域，及不存有所述孔隙的区域，其中所述不存有所述孔隙的区域构成所述垫体积的至少5.0％。