[发明专利]光电动势装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电动势装置的制造方法，其特征在于，包括：

第1扩散层形成工序，在第1导电类型的半导体基板的光的入射面侧的整个面扩散第2导电类型的杂质，形成第1浓度的第1扩散层；

耐蚀刻膜形成工序，在所述第1扩散层上形成具有耐蚀刻性的耐蚀刻膜；

微细孔形成工序，在所述耐蚀刻膜上的凹部形成区域内的规定的位置形成微细孔，使所述第1扩散层露出；

凹部形成工序，以所述第1扩散层的露出位置为中心，以在所述凹部形成区域内不使所述第1扩散层残留的方式，对所述第1扩散层和所述半导体基板进行蚀刻而形成凹部；

第2扩散层形成工序，在形成所述凹部的面扩散比所述第1浓度低的第2浓度的第2导电类型的杂质，形成第2扩散层；以及

表面电极形成工序，在所述半导体基板的所述光的入射面侧的所述凹部形成区域以外的电极形成区域形成表面电极。

2.根据权利要求1所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述微细孔形成工序中，使用所述耐蚀刻膜吸收的波长的激光来进行微细孔的形成处理。

3.根据权利要求2所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述耐蚀刻膜形成工序中，作为所述耐蚀刻膜形成SiN膜，

在所述微细孔形成工序中，使用波长是700nm以下的激光。

4.根据权利要求3所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

所述激光的波长是400nm以下。

5.根据权利要求2所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述微细孔形成工序中，通过掩模对所述激光的一部分进行遮光，在所述耐蚀刻膜中同时形成多个所述微细孔。

6.根据权利要求2所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述微细孔形成工序中，使用检电镜在所述耐蚀刻膜上扫描所述激光，形成多个所述微细孔。

7.根据权利要求2所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述微细孔形成工序中，在所述耐蚀刻膜的三角阵点上或者四角阵点上形成所述微细孔。

8.根据权利要求1所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述第1扩散层形成工序中，在形成了所述第1扩散层之后，去除所述第1扩散层的最表面。

9.根据权利要求1所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述第2扩散层形成工序中，在形成了所述第2扩散层之后，去除所述第2扩散层的最表面。

10.一种光电动势装置，具备：

第1导电类型的半导体基板；

第1扩散层，在所述半导体基板的光的入射面侧形成，按照第1浓度扩散了第2导电类型的杂质；

梳状的栅电极和汇流电极，该梳状的栅电极在所述第1扩散层上形成，该汇流电极连接所述梳状的栅电极之间；

第2扩散层，在所述半导体基板的与光的入射面对置的背面形成，由第1导电类型构成；以及

背面电极，在所述第2扩散层上形成，

该光电动势装置的特征在于，

在所述半导体基板的光的入射面侧的形成所述栅电极和所述汇流电极的电极形成区域以外的凹部形成区域中，具有按照规定的间隔设置的多个凹部，

相邻的所述凹部之间的区域的上表面不包括所述第1扩散层，

在从所述凹部的形成面起规定的深度的范围内，形成了按照比所述第1浓度低的第2浓度扩散了第2导电类型的杂质的第3扩散层。

11.根据权利要求10所述的光电动势装置，其特征在于，

所述凹部形成在三角阵点上或者四角阵点上。