[发明专利]利用电介质与金属层对的加强型滤光片

权利要求书

1.一种提供滤光片的方法,所述方法包括以下步骤:

在基板上形成迭层以包括电介质层与金属层层对,包括通过以下步 骤限定每一所述层对:

形成铟基透明电介质薄膜作为所述电介质层的第一薄膜,所述透明 电介质薄膜的折射率至少为1.1；

形成锌基薄膜作为所述电介质层的第二薄膜,所述第二薄膜形成在 所述第一薄膜上,所述锌基薄膜的锌含量至少为80％且厚度至少为15nm； 以及

形成银基薄膜作为所述金属层,所述银基薄膜与所述锌基薄膜接触。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成包括所述层对的迭 层的步骤包括将与所述基板邻接的所述层对的所述锌基薄膜形成得薄于 离所述基板较远的每一所述层对的所述锌基薄膜。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述银基薄膜的步 骤包括沉积银和金的合金,其中包含所述金是为了控制所述迭层的腐蚀。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,沉积所述合金的步骤包 括基于与所述基板的距离,在所述银基薄膜之中有意地加入不同百分比 的金。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,使离所述基板最远的所 述银基薄膜形成得比离所述基板最近的所述银基薄膜具有更高百分比的 金。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括基于促 进所述银基薄膜的形成,选择所述锌基薄膜的所述厚度以及选择所述锌 含量的百分比。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述电介质层与金 属层层对的所述铟基透明电介质薄膜的步骤包括使用溅射技术来沉积铟 基透明电介质薄膜。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述锌基薄膜的步 骤提供的薄膜厚度在15nm至40nm的范围内。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括将所述 迭层附于窗户上。

10.一种过滤装置,所述过滤装置包括:

透明基板；以及

在所述基板上的迭层,所述迭层包括电介质层与金属层层对, 每一所述层对由以下部件限定:

铟基透明电介质薄膜,所述铟基透明电介质薄膜作为所述电介质层 的第一薄膜,所述透明电介质层的折射率至少为1.1；

锌基薄膜,所述锌基薄膜作为所述电介质层的第二薄膜,所述锌基 薄膜的锌含量至少为80％且厚度在15nm至40nm的范围内；以及

银金薄膜,所述银金薄膜作为所述金属层,所述银金薄膜与所述锌 基薄膜接触。

11.如权利要求10所述的过滤装置,其特征在于,与所述基板邻接的 电介质层与金属层层对中的所述锌基薄膜薄于其它每一层对的所述锌基 薄膜。

12.如权利要求11所述的过滤装置,其特征在于,所述锌基薄膜为锌 锡或锌铝,而所述锌含量约为90％。

13.如权利要求10所述的过滤装置,其特征在于,离所述基板最远的 所述电介质层与金属层层对中的所述银金薄膜比其它每一层对的所述银 金薄膜具有更高的金含量。

14.如权利要求10所述的过滤装置,其特征在于,所述基板附于窗户 上。

15.如权利要求10所述的过滤装置,其特征在于,所述过滤装置包括 三对所述电介质层与金属层层对。

16.如权利要求10所述的过滤装置,其特征在于,每一所述透明电介 质薄膜为In₂O₃。