[发明专利]具有半导体开关元件的分接开关无效
申请号: | 200880130033.0 | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN102077305A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | O·布吕克尔;D·多那尔;H-H·莱克曼-米斯克 | 申请(专利权)人: | 赖茵豪森机械制造公司 |
主分类号: | H01F29/04 | 分类号: | H01F29/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 赵科 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 半导体 开关 元件 | ||
1.一种具有半导体开关元件的分接开关,用于无中断地在可调式变压器的绕组分接头之间进行转换,
所述分接开关包括两个能与各自的绕组分接头连接的负载支路,
所述半导体开关元件是IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp),
这两个负载支路中的每一个都经由所设置的由两个相反连接的IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)构成的串联电路与共同的负载引线电气连接,并且
与每个IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)并联设置一个二极管(dan,dap,dbn,dbp),每个负载支路中的两个二极管(dan,dap或dbn,dbp)相互相反地连接,
其特征在于,
在每个负载支路中分别有一个机械开关(DSa,DSb)与由IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)和并联的二极管(dan,dap,dbn,dbp)构成的串联电路串联连接,
与由IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)和二极管(dan,dap,dbn,dbp)构成的每个并联电路分别并联连接一个压敏电阻(Van,Vap;Vbn,Vbp),并且
所述压敏电阻(Van,Vap;Vbn,Vbp或Va,Vb)被参数设置为使得其压敏电压小于各自并联的IGBT的最大阻断电压,并且大于级电压的最大瞬时值。
2.根据权利要求1所述的分接开关,其特征在于,每个IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)与与其并联的压敏电阻(Van,Vap;Vbn,Vbp)及二极管(dan,dap,dbn,dbp)一起在结构上结合为堆叠。
3.根据权利要求1所述的分接开关,其特征在于,设置于一个负载支路中的两个压敏电阻(Van,Vap或Vbn,Vbp)被组合为单个压敏电阻(Va,Vb)。
4.根据权利要求1至3之一所述的分接开关,其特征在于,与这两个负载支路中每一个分别并联连接一个机械的长期工作主触头(MCa,MCb)。
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