[发明专利]氮游离基产生器、氮化处理装置、氮游离基的产生方法、以及氮化处理方法有效

申请号：	200880130098.5	申请日：	2008-06-24
公开（公告）号：	CN102067291A	公开（公告）日：	2011-05-18
发明（设计）人：	渡边谦资;山田义人	申请（专利权）人：	东芝三菱电机产业系统株式会社
主分类号：	H01L21/31	分类号：	H01L21/31;H01L21/318
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	张鑫
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	游离产生器氮化处理装置产生方法以及
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【权利要求书】：

1.一种氮游离基产生器，其特征在于，包括：

多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于所述多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于所述纳米硅层(104)的所述一个主面(104m)上；

第一腔室(101)，该第一腔室(101)用于容纳所述多晶硅层(103)、所述硅基板电极(102)、以及所述表面电极(105)；

第一电源(109)，该第一电源(109)对所述表面电极(105)施加相对于所述硅基板电极(102)为正的电压；

气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入所述第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加所述正电压时从所述纳米硅层(104)的所述一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触以产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使所述氮游离基从所述第一腔室(101)流出。

2.如权利要求1所述的氮游离基产生器，其特征在于，

所述第一电源(109)为产生脉冲电压的脉冲电源。

3.如权利要求1所述的氮游离基产生器，其特征在于，还包括：

聚焦电极(106)，该聚焦电极(106)容纳于所述第一腔室(101)内，与所述表面电极(105)相对；以及

第二电源(110)，该第二电源(110)对所述聚焦电极(106)施加相对于所述表面电极(105)为正的电压。

4.一种氮化处理装置，该氮化处理装置(300)包括如权利要求1至权利要求3的任一项所述的氮游离基产生器(100)、以及氮化处理器(200)，其特征在于，

氮化处理器(200)包括：第二腔室(201)；容纳于所述第二腔室(201)内，用于在其上配置基板(230)的基板平台(202)；以及使所述基板(230)与所述氮游离基相接触，将所述基板(230)的表面层氮化，从而形成氮化物层的氮化处理空间(240)。

5.一种氮游离基的产生方法，其特征在于，包括：

第一步骤，该第一步骤中对包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)的多晶硅层(103)施加电压，从所述纳米硅层(104)的所述一个主面(104m)发射电子；以及

第二步骤，该第二步骤中使所发射的所述电子与氮气相接触，从而产生氮游离基。

6.一种氮游离基的产生方法，其特征在于，包括：

第一步骤，该第一步骤中对包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)的多晶硅层(103)施加电压，从所述纳米硅层(104)的所述一个主面(104m)发射电子；