[发明专利]用于加工薄膜电子器件的系统和方法

权利要求书

1.一种用于在基板上加工薄膜电子器件的系统，所述系统包括：

沉积装置，被设置用于在沉积装置腔室内的一部分基板上沉积材料；

与沉积装置腔室流体连通的第一排气装置；

第一腔室，在其中包括存储装置，被设置用于将一部分基板收集在第一腔室内；

与第一腔室流体连通的第二排气装置；

在第一腔室和沉积装置腔室之间提供流体连通的第一气门；并且

其中具有存储在第一腔室内的一部分基板的基板延伸穿过第一腔室并伸入沉积装置腔室内和穿过第一气门；并且第一气门、沉积装置腔室的排气装置和第一腔室的排气装置被设置为使沉积装置腔室内的工作压力低于第一腔室内的工作压力。

2.如权利要求1所述的系统，其中存储装置被进一步设置用于改变第一腔室内收集的基板量。

3.如权利要求1所述的系统，进一步包括在第一腔室和第一腔室外部的区域之间提供流体连通的第二气门，并且基板进一步延伸穿过第二气门。

4.如权利要求3所述的系统，其中第一腔室外部的区域处于大气压下，第一腔室内的工作压力处于10托到0.01托的范围内，而沉积装置腔室内的工作压力处于10^-2托到10^-6托的范围内。

5.如权利要求1所述的系统，其中在基板上沉积的材料是导电材料。

6.如权利要求1所述的系统，其中沉积装置腔室内的工作压力处于中度真空的范围内。

7.如权利要求6所述的系统，其中沉积装置腔室内的工作压力处于10^-6托到10^-8托的范围内。

8.如权利要求1所述的系统，其中沉积装置腔室内的工作压力处于10^-2托到10^-6托的范围内。

9.如权利要求1所述的系统，其中沉积装置腔室内的工作压力大约为10^-5托。

10.如权利要求1所述的系统，其中沉积装置腔室内的工作压力处于10^-2托到10^-6托的范围内，并且第一腔室内的工作压力处于10托到0.01托的范围内。

11.如权利要求10所述的系统，其中沉积装置腔室内的工作压力大约为10^-5托，并且第一腔室内的工作压力大约为1.0托。

12.如权利要求1所述的系统，其中沉积装置被设置用于通过真空蒸发沉积在基板上沉积材料。

13.如权利要求1所述的系统，其中沉积装置被设置用于通过溅射在基板上沉积材料。

14.如权利要求12或13所述的系统，其中在基板上沉积的材料是导电材料。

15.如权利要求14所述的系统，其中构成了电极。

16.如权利要求1所述的系统，其中沉积装置被设置用于在基板上以预定的模式沉积材料。

17.如权利要求16所述的系统，其中沉积装置包括阴罩。

18.如权利要求17所述的系统，其中沉积装置被设置为使基板和阴罩移动以在基板上沉积材料。

19.如权利要求1所述的系统，进一步包括用于在基板上沉积有机材料的沉积装置。

20.如权利要求18所述的系统，其中有机材料是高分子半导体。

21.如权利要求1所述的系统，进一步包括在第一腔室和第一腔室外部的区域之间提供流体连通的第二气门，并且基板进一步延伸穿过第二气门。

22.如权利要求21所述的系统，其中第一腔室外部的区域处于大气压下，第一腔室内的工作压力处于10托到0.01托的范围内，而沉积装置腔室内的工作压力处于10^-2托到10^-6托的范围内。

23.如权利要求1所述的系统，进一步包括用于在基板上沉积隔离层的沉积装置。

24.如权利要求1所述的系统，进一步包括用于在基板上沉积平滑层的沉积装置。