[发明专利]具有钝化层的半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，它包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一掺杂半导体层；

位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层；

位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的多量子阱(MQW)有源层；以及

与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极；

与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极；

第一钝化层，其大体上覆盖所述第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层的侧壁，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分水平表面，其中所述第一钝化层应用氧化技术形成；以及

覆盖所述第一钝化层的第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述衬底包括下列材料的至少一种：Cu，Cr，Si和SiC。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第一钝化层包括Ga₂O₃。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第二钝化层包括下列材料的至少一种：氧化硅(SiO_x)，氮化硅(SiN_x)以及氧氮化硅(SiO_xN_y)。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第一掺杂半导体层是p-型掺杂半导体层。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第二掺杂半导体层是n-型掺杂半导体层。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述MQW有源层包括GaN和InGaN。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第一和第二掺杂半导体层在具有沟槽和台面组成的预制图形的衬底上生长。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述通过应用氧等离子体来形成所述第一钝化层。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第二钝化层通过下列方法的至少一种形成：等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)，磁控溅射沉积，或电子束(e-束)蒸发。

11.根据权利要求1的所述的半导体发光器件，其特征在于所述第一钝化层的厚度范围为1nm至100nm，且其中所述第二钝化层的厚度范围为30nm至1000nm。

12.一种制备半导体发光器件的方法，该方法包括：

在第一衬底上生长多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，MQW有源层，以及第二掺杂半导体层；

形成与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极；

将所述多层结构邦定至第二衬底；

剥离所述第一衬底；

形成第一钝化层，其大体上覆盖所述多层结构的上表面和侧壁，其中所述第一钝化层是应用氧化技术形成的；

形成与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极；以及

形成覆盖所述第一钝化层的第二钝化层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中第二衬底包括下列材料的至少一种：Cu，Cr，Si以及SiC。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述第一钝化层包括Ga₂O₃。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述第二钝化层包括下列材料的至少一种：氧化硅(SiO_x)，氮化硅(SiN_x)以及氧氮化硅(SiO_xN_y)。

16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述第一掺杂半导体层是p-型掺杂半导体层。

17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述第二掺杂半导体层是n-型掺杂半导体层。

18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述MQW有源层包括GaN和InGaN。

19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述多层半导体结构在具有沟槽和台面组成的预制图形的衬底上生长。