[发明专利]用于产生任意颜色的半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，它包括：

导电衬底；

位于所述导电衬底上的多层半导体结构，其中该结构包括：第一掺杂半导体层；位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层；以及位于所述第一和第二掺杂层之间的多量子阱(MQW)有源层；

其中所述多层半导体结构被沟槽分隔形成多个独立的发光台面；

其中所述至少一个发光台面包括颜色转换层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述导电衬底包括下列材料的至少一种：Si，GaAs，GaP，Cu和Cr。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第一掺杂半导体层为包括Mg掺杂GaN的p-型掺杂半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述第二掺杂半导体层为包括Si掺杂GaN的n-型掺杂半导体层。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述MQW有源层包括GaN和InGaN。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述颜色转换层包括荧光粉。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于不同的所述发光台面发射不同颜色的光。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其特征在于所述发光台面发射出的不同颜色的光包括红色，绿色和蓝色。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于该发光器件进一步包括：

与导电衬底连接第一电极；

与多个所述发光台面的所述第二掺杂半导体层连接的多个电极，且所述多个电极可单独控制。

10.一种制备半导体发光器件的方法，该方法包括：

在具有沟槽和台面图形的生长衬底上制备多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，第二掺杂半导体层以及多量子阱(MQW)有源层；

其中所述多层结构被沟槽分隔形成多个独立的发光台面；

在所述多层结构上形成邦定层；

去除所述生长衬底；

在至少一个所述发光台面上形成至少一个光转换层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述导电衬底包括下列材料的至少一种：Si，GaAs，GaP，Cu和Cr。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述第一掺杂半导体层为包括Mg掺杂GaN的p-型掺杂半导体层。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述第二掺杂半导体层为包括Si掺杂GaN的n-型掺杂半导体层。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述MQW有源层包括GaN和InGaN。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述颜色转换层包括荧光粉。

16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于不同的所述发光台面发射不同颜色的光。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于所述发光台面发射的不同颜色的光包括红色，绿色及蓝色。

18.根据权利要求10所述的方法，其特征在于该方法进一步包括：

形成与所述导电衬底连接的第一电极；

形成与多个所述发光台面的所述第二掺杂半导体层连接的多个电极，且所述多个电极可独立控制。