[发明专利]吡咯化合物和包括该吡咯化合物的有机光电装置有效

专利信息
申请号: 200880130969.3 申请日: 2008-12-31
公开(公告)号: CN102144015A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 郑成显;金亨宣;金永勋;李镐在;柳银善;蔡美荣 申请(专利权)人: 第一毛织株式会社
主分类号: C09K11/06 分类号: C09K11/06
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 陈万青;王珍仙
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 吡咯 化合物 包括 有机 光电 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及吡咯化合物和包括该吡咯化合物的有机光电装置。更具体地,本发明涉及新的吡咯化合物和包括该吡咯化合物的有机光电装置,所述新的吡咯化合物易溶解在有机溶剂中,并且由于其在红色波长至蓝色波长内发出荧光和磷光,可用作有机光电装置的发光层主体材料、空穴传输材料或电子阻挡材料。

背景技术

有机光电装置作为下一代显示器装置已引起人们关注。有机光电装置可在低电压下运行,并且与薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)相比具有优点,例如薄、光学视角、快的响应速度等。此外,它在中型或小型尺寸上能够具有与TFT-LCD相当或者比TFT-LCD更好的图像质量。而且,由于它能够以简单工艺制造,所以在价格竞争力上有优势。

通常,有机光电装置包括在后面板和上面板之间的有机发光材料,后面板包括在透明玻璃基板上作为阳极的ITO透明电极图案,上面板包括在基板上作为阴极的金属电极。当在透明电极和金属电极之间施加预定电压时,有机发光材料因电流从它们中通过而发光。

1987年,伊斯曼柯达公司首先开发出这种用于有机光电装置的有机发光材料。它包括低分子芳族二胺和铝络合物作为形成发光层的材料(Applied Physics Letters.51,913,1987)。C.W Tang等人在1987年首先公开了作为有机光电装置能够实施的装置(Applied Physics Letters,51 12,913-915,1987)。

根据参考文献,有机层具有将二胺衍生物的薄膜(空穴传输层(HTL))和三(8-羟基-喹啉)铝(Alq3)的薄膜层压的结构。Alq3薄膜用作传输电子的发光层。

通常,有机光电装置由依次形成在玻璃基板上的包括透明电极的阳极、具有发光区域的有机薄层和金属电极(阴极)构成。有机薄层可包括发光层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)。由于发光层的发光特性,它可进一步包括电子阻挡层或空穴阻挡层。

当对有机光电装置施加电场时,分别由阳极和阴极注入空穴和电子。注入的空穴和电子穿过空穴传输层(HTL)和电子传输层(ETL)在发光层互相再结合以提供发光激子。发光激子跃迁至基态并发光。

发光材料可分类为包括单线态激子的荧光材料和包括三线态激子的磷光材料。

近来,除荧光发光材料以外,磷光发光材料也能用作发光材料已为人们所知晓(D.F.O′Brien et al.,Applied Physics Letters,74 3,442-444,1999;M.A.Baldo et al.,Applied Physics letters,75 1,4-6,1999)。这种磷光发光通过如下过程实现:在使单线态激子通过系统间跨越非辐射跃迁为三线态激子后,使电子由基态跃迁为激发态,并使三线态激子跃迁至基态而发光。

当使三线态激子跃迁时,不能直接跃迁成基态。因此,在使电子自旋反转后,使其跃迁至基态,从而能提供使寿命(发光持续时间)延长至超出荧光发光寿命的特性。

换句话说,荧光发光持续时间极短,仅为几纳秒,但磷光发光持续时间相对较长,例如为几微秒,从而它能提供使寿命(发光持续时间)延长至超出荧光发光寿命的特性。

此外,进行量子力学评价,当由阳极注入的空穴与由阴极注入的电子再结合以提供发光激子时,有机光电装置中产生的单线态和三线态的比为1∶3,其中产生的三线态的发光激子量是单线态发光激子量的三倍。

因此,荧光材料具有25%的单线激发态(三线态为75%),从而其发光效率有限。另一方面,磷光材料能利用75%的三线激发态和25%的单线激发态,因此,理论上它能够达到100%的内部量子效率。因此,磷光发光材料具有实现发光效率约为荧光发光材料四倍的优点。

在上述有机发光二极管中,为了提高发光态的效率和稳定性,可在发光层(主体)中加入发光着色剂(掺杂剂)。

在此结构中,发光二极管的效率和性能取决于发光层中的主体材料。根据对发光层(主体)的研究,有机主体材料可列举出包括萘、蒽、菲、并四苯、芘、苯并芘、1,2-苯并菲、苉(pycene)、咔唑、芴、联苯、联三苯、三亚苯基氧化物、二卤代联苯、反-芪和1,4二苯基丁二烯的材料。

通常,主体材料包括4,4-N,N-二咔唑基联苯(CBP),其玻璃化转变温度为110℃或更低,热分解温度为400℃或更低,且具有较低的热稳定性和过高的对称性。由此,根据装置的耐热性测试结果,它易于结晶并导致如短路和像素缺陷等问题。

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