[发明专利]放射线检测器

权利要求书

1.一种放射线检测器，其特征在于，包括：

放射线感应型的半导体层，因放射线的入射而生成载流子；

高电阻膜，形成在所述半导体层的入射面侧，并且使载流子选择透过；

共用电极，形成在所述高电阻膜的入射面侧，并且对所述高电阻膜和所述半导体层施加偏压；

矩阵基板，形成在所述半导体层的入射面的相反侧，并且根据所述半导体层生成的载流子按照像素读出放射线检测信号；

固化性合成树脂膜，覆盖所述半导体层、所述高电阻膜和所述共用电极的整个露出面；和

辅助板，固定在所述固化性合成树脂膜的入射面侧，

所述辅助板的与所述固化性合成树脂膜的接触面的相反面具有导电性，并且接地，

所述固化性合成树脂膜不以氯或含氯的化合物为原料。

2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，

所述固化性合成树脂膜是聚氨酯树脂或丙烯酸树脂。

3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器，其特征在于，

施加于所述共用电极的偏压是正向偏压。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的放射线检测器，其特征在于，

所述矩阵基板是有源矩阵基板，由以下各部构成，分别是：

像素电极，按照像素收集在所述半导体层生成的载流子；

电容器，积蓄与所述像素电极收集的载流子数量相应的电荷；

开关元件，读出所述被积蓄的电荷；和

电极布线，排列成格子状，且与设置在各格子交点的所述开关元件连接。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的放射线检测器，其特征在于，

所述半导体层是无定形硒。

6.一种放射线检测器，其特征在于，包括：

放射线感应型的半导体层，因放射线的入射而生成载流子；

高电阻膜，形成在所述半导体层的入射面侧，并且使载流子选择透过；

共用电极，形成在所述高电阻膜的入射面的相反侧，并且对所述高电阻膜和所述半导体层施加偏压；

矩阵基板，形成在所述半导体层的入射面的相反侧，根据所述半导体层生成的载流子按照像素读出放射线检测信号；

保护膜，通过覆盖所述半导体层、所述高电阻膜和所述共用电极的整个露出面，防止离子性物质透过；

固化性合成树脂膜，覆盖所述保护膜的整个表面；和

辅助板，固定在所述固化性合成树脂膜的入射面侧，

所述辅助板的与所述固化性合成树脂膜的接触面的相反面具有导电性，并且接地。

7.根据权利要求6所述的放射线检测器，其特征在于，

所述保护膜是SiN膜。

8.根据权利要求6或7所述的放射线检测器，其特征在于，

所述保护膜在不足40℃的温度下形成。

9.根据权利要求6～8任意一项所述的放射线检测器，其特征在于，

所述固化性合成树脂膜是环氧树脂。

10.根据权利要求6～8任意一项所述的放射线检测器，其特征在于，

所述固化性合成树脂膜不以氯或含氯的化合物为原料。

11.根据权利要求10所述的放射线检测器，其特征在于，

所述固化性合成树脂膜是聚氨酯树脂或丙烯酸树脂。

12.根据权利要求6～11任意一项所述的放射线检测器，其特征在于，

施加于所述共用电极的偏压是正向偏压。

13.根据权利要求6～12任意一项所述的放射线检测器，其特征在于，

所述矩阵基板是有源矩阵基板，由以下各部构成，分别是：

像素电极，按照像素收集在所述半导体层生成的载流子；

电容器，积蓄与所述像素电极收集的载流子数量相应的电荷；

开关元件，读出所述被积蓄的电荷；和

电极布线，排列成格子状，且与设置在各格子交点的所述开关元件连接。

14.根据权利要求6～13任意一项所述的放射线检测器，其特征在于，

所述半导体层是无定形硒。