[发明专利]弹性波器件及其制造方法无效
申请号: | 200880131170.6 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN102160284A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 横山刚;谷口真司;岩城匡郁;原基扬;坂下武;西原时弘;上田政则 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H03H3/04 | 分类号: | H03H3/04;H03H9/17 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;马建军 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种弹性波器件的制造方法,其中,该弹性波器件的制造方法包括以下步骤:
层叠步骤,在基板上形成多个弹性波器件,该弹性波器件包含下部电极、设于所述下部电极上的压电膜、以及设于隔着所述压电膜与下部电极相对的位置上的上部电极;
测定步骤,测定将所述下部电极和所述上部电极隔着压电膜相对的区域作为谐振部进行动作时的、所述基板上的多个弹性波器件中的动作频率的分布;以及
调整步骤,根据所述动作频率的分布,在各弹性波器件的所述谐振部中,形成所述弹性波器件的厚度与其他部分不同的调整区域,
在所述调整步骤中,以使各弹性波器件的所述谐振部中的所述调整区域的面积根据所述测定出的所述动作频率的分布而不同的方式,形成所述调整区域。
2.根据权利要求1所述的弹性波器件的制造方法,其中,
在所述调整步骤中,在所述上部电极上的至少一部分形成调整膜,由此形成所述调整区域。
3.根据权利要求1所述的弹性波器件的制造方法,其中,
在所述测定步骤中,测定所述基板上的多个弹性波器件的中心频率,
在所述调整步骤中,根据所述测定出的所述多个弹性波器件各自的中心频率与预先决定的目标中心频率之差,决定各弹性波器件中的所述调整区域的面积。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的弹性波器件的制造方法,其中,
在所述调整步骤中,在所述上部电极上的至少一部分形成调整膜,由此形成所述调整区域,所述调整膜在多个弹性波器件中以相同厚度形成。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的弹性波器件的制造方法,其中,
所述调整区域由设于所述上部电极上的具有孔状图案的调整膜形成。
6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的弹性波器件的制造方法,其中,
所述调整区域由设于所述上部电极上的具有岛状图案的调整膜形成。
7.根据权利要求1~6中的任意一项所述的弹性波器件的制造方法,其中,
在所述调整步骤中,在所述上部电极上的至少一部分形成调整膜,由此形成所述调整区域,所述调整膜的材料和所述调整膜下方的层的材料针对蚀刻的反应不同。
8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的弹性波器件,其中,
在所述层叠步骤中,形成所述基板上的多个弹性波器件,由此,形成包含所述多个弹性波器件的多个芯片,
在所述调整步骤中,以如下方式形成所述调整区域:按照每个所述芯片,多个弹性波器件的所述谐振部中的所述调整区域的面积根据所述测定出的所述动作频率的分布而不同。
9.一种多个弹性波器件,该多个弹性波器件包含基板、设于所述基板上的下部电极、设于所述下部电极上的压电膜、以及设于隔着所述压电膜与所述下部电极相对的位置上的上部电极,其中,
在各弹性波器件的、下部电极隔着所述压电膜与所述上部电极相对的谐振部中,形成弹性波器件的厚度与其他部分不同的调整区域,
在所述基板上的多个弹性波器件中,所述谐振部中的所述调整区域的面积不同。
10.根据权利要求9所述的弹性波器件,其中,
通过所述基板上的多个弹性波器件形成多个芯片,
多个弹性波器件的所述谐振部中的所述调整区域的面积按照每个芯片而不同。
11.根据权利要求9或10所述的弹性波器件,其中,
所述调整区域由在所述上部电极上的至少一部分设置的调整膜形成,
所述调整膜在多个弹性波器件中厚度相同。
12.根据权利要求9~11中的任意一项所述的弹性波器件,其中,
所述调整区域由设于所述上部电极上的具有孔状图案的调整膜形成。
13.根据权利要求9~11中的任意一项所述的弹性波器件,其中,
所述调整区域由设于所述上部电极上的具有岛状图案的调整膜形成。
14.根据权利要求9~13中的任意一项所述的弹性波器件,其中,
所述调整区域由在所述上部电极上的至少一部分设置的调整膜形成,所述调整膜的材料和所述调整膜下方的层的材料针对蚀刻的反应不同。
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