[发明专利]硅电磁感应熔融用石墨坩埚及利用其的硅熔融精炼装置

权利要求书

1.一种硅电磁感应熔融用石墨坩埚，所述石墨坩埚是上部开放以装入硅原料，外侧壁被感应线圈围绕的呈圆筒形结构的石墨材质的坩埚，其特征在于，

形成有贯通所述坩埚的外侧壁和内侧壁的铅直方向的多个狭缝，使得由在所述感应线圈中流通的电流产生的电磁力向所述坩埚的内部中心方向发生作用，从而使熔融的硅因所述电磁力而不会与所述坩埚的内侧壁接触。

2.根据权利要求1所述的硅电磁感应熔融用石墨坩埚，其特征在于，所述多个狭缝从所述坩埚的上部形成到所述坩埚的内部的底面部分为止，并具有规定的间隔。

3.根据权利要求1所述的硅电磁感应熔融用石墨坩埚，其特征在于，所述多个狭缝至少形成有12个。

4.根据权利要求3所述的硅电磁感应熔融用石墨坩埚，其特征在于，在所述坩埚的内径为50mm以上的情况下，至少形成有24个所述多个狭缝。

5.根据权利要求1所述的硅电磁感应熔融用石墨坩埚，其特征在于，所述多个狭缝分别具有0.3～1.5mm的狭缝宽度。

6.根据权利要求1所述的硅电磁感应熔融用石墨坩埚，其特征在于，在所述坩埚的内部底面涂敷有碳化硅、氮化硅中至少一种物质。

7.根据权利要求1所述的硅电磁感应熔融用石墨坩埚，其特征在于，所述硅原料被感应加热的所述坩埚间接熔融而形成熔液，所形成的熔液因内部的所述电磁力不会与所述坩埚的内侧壁接触地被感应熔融。

8.一种硅熔融精练装置，其特征在于，包括：

坩埚，其为石墨材质，具有圆筒形结构，所述坩埚的上部开放，并具有贯通外侧壁和内侧壁的铅直方向的多个狭缝，以及

感应线圈，其围绕所述坩埚的外侧壁；

由所述坩埚的上部装入的硅原料被感应加热的所述坩埚间接熔融而形成熔液；

由在所述感应线圈中流通的电流产生的电磁力向所述坩埚的内部中心方向发生作用，从而所形成的所述熔液因所述电磁力而不会与所述坩埚的内侧壁接触地进行感应熔融。

9.根据权利要求8所述的硅熔融精练装置，其特征在于，所述多个狭缝从所述坩埚的上部形成到所述坩埚的内部的底面部分为止，并具有规定的间隔。

10.根据权利要求8所述的硅熔融精练装置，其特征在于，所述多个狭缝至少形成有12个。

11.根据权利要求10所述的硅熔融精练装置，其特征在于，在所述坩埚的内径为50mm以上的情况下，至少形成有24个所述多个狭缝。

12.根据权利要求8所述的硅熔融精练装置，其特征在于，所述多个狭缝分别具有0.3～1.5mm的狭缝宽度。

13.根据权利要求8所述的硅熔融精练装置，其特征在于，在所述坩埚的内部底面涂敷有碳化硅、氮化硅中的至少一种物质。

14.根据权利要求8所述的硅熔融精练装置，其特征在于，所述硅原料被感应加热的所述坩埚间接熔融而形成熔液，所形成的熔液因内部的所述电磁力而不会与所述坩埚的内侧壁接触地被感应熔融。