[发明专利]用于集成电路的电阻调谐的由电磁辐射引起的硅中的同素异形或形态改变

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

基板；

所述基板上的电介质层；和

位于所述基板和所述电介质层之间的电阻链接，所述电阻链接包 含具有第一电阻区域和第二电阻区域的半导体层，所述第一电阻区域 具有第一电阻率和第一形态，并且，所述第二电阻区域具有第二电阻 率和不同的第二形态，并且其中，所述第一电阻区域具有第一同素异 形状态，并且，所述第二电阻区域具有不同的第二同素异形状态。

2.如权利要求1所述的电子器件，其中，所述第二同素异形状态 是所述半导体层的非晶同素异形体。

3.如权利要求1所述的电子器件，其中，所述第一电阻区域包含 作为所述基板的晶格的延伸的结晶区域，并且，所述第二电阻区域包 含多晶区域或非晶区域。

4.如权利要求1所述的电子器件，其中，所述第一电阻区域和所 述第二电阻区域是多晶的，并且，所述第二电阻区域的平均晶粒尺寸 为所述第一电阻区域的平均晶粒尺寸的10％或更小。

5.一种制造电子器件的方法，包括：

提供上面具有电介质层的基板，和所述基板与所述电介质之间的 电阻链接，其中，所述电阻链接包含具有第一形态的半导体层；

用电磁辐射照射所述电阻链接；

通过所述照射将所述电阻链接的一部分从所述第一形态转变成所 述半导体层的不同的第二形态，其中，所述第一形态具有第一同素异 形状态，并且，所述第二形态具有不同的第二同素异形状态。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述第二形态是所述半导体 层的非晶同素异形体。

7.如权利要求6所述的方法，还包含然后将具有所述不同的第二 形态的所述电阻链接的所述部分的至少一部分从所述非晶同素异形体 转变成多晶同素异形体的步骤。

8.如权利要求5所述的方法，其中，所述第一同素异形状态是从 所述基板的晶格延伸的所述半导体层的单晶。