[发明专利]半导体激光元件有效
| 申请号： | 200880131757.7 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102204040A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 藤本毅;山田由美;山形友二;齐藤刚;片平学 | 申请（专利权）人： | 奥普拓能量株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光元件，其特征在于，具备：
活性层，由量子阱层及阻挡层构成；
n型载流子阻断层，与上述活性层邻接地设置，并且具有大于等于上述阻挡层的禁带宽度的禁带宽度；
n型导波层，相对于上述n型载流子阻断层，在与上述活性层相反侧，与上述n型载流子阻断层邻接地设置；
n型金属包层，相对于上述n型导波层，在与上述活性层相反侧，与上述n型导波层邻接地设置，并且具有比上述n型导波层的禁带宽度大的禁带宽度；和
p型金属包层，相对于上述活性层，在与上述n型载流子阻断层相反侧，与上述活性层邻接地设置，并且具有比上述阻挡层及n型导波层的禁带宽度大的禁带宽度。
2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，上述n型金属包层的折射率比上述p型金属包层的折射率大。
3.如权利要求1或2所述的半导体激光元件，其特征在于，上述n型载流子阻断层的层厚T是10nm≤T≤30nm。
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