[发明专利]连续铸造设备

权利要求书

1.一种连续铸造设备，包括：

-模具(1，16)，

-电磁设备(2，14，15)，布置在模具(1，16)之外并且布置成用于提供施加于模具(1，16)中的熔化物(5)上的电磁场，为所述电磁设备(2，14，15)提供包括基频和谐波的电流，并且由此生成基于所述基频的第一电磁场和基于所述谐波的第二电磁场，以及

-电感传感器(3)，为了感测所述熔化物(5)的弯月面的位置的目的而布置在模具(1，16)处，并且在与所述谐波对应的频率下操作，

其特征在于，

-所述连续铸造设备包括设置在所述电磁设备(2，14，15)与所述传感器(3)之间的至少一个屏蔽(8，10，11，19a，19b)，并且所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)被布置成用于阻止所述第二电磁场干扰所述传感器(3)的操作，但是允许将第一电磁场施加于弯月面区域中的所述熔化物(5)上。

2.根据权利要求1所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)具有在所述第一电磁场的磁渗透深度之下，并且在所述第二电磁场的磁渗透深度的至少50％之上的厚度。

3.根据权利要求1或者2所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)具有在所述第一电磁场的磁渗透深度之下，并且在所述第二电磁场的磁渗透深度之上的厚度。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)的厚度为使得其将施加于所述传感器(3)上的所述第二电磁场的强度减小至少90％。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)的厚度为使得其将施加于所述弯月面区域中的所述熔化物(5)上的第一电磁场的强度减小不超过近似10％。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述传感器(3)被布置在电磁设备(2，14，15)的上端之上的水平处，并且所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)包括在电磁设备(2，14，15)的上端之上延伸的薄板。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)包括在所述电磁设备(2，14，15)和所述模具(1，16)之间延伸的薄板。

8.根据权利要求7所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)将电磁设备(2，14，15)的主要部分从模具(1，16)屏蔽开。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)在所述电磁设备(2，14，15)和所述模具(1，16)之间沿着所述电磁设备(2，14，15)的高度的至少一半延伸。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述电磁设备(2)圆周地围绕模具(1)延伸，并且所述屏蔽(8，10，11)连续圆周地在电磁设备(2)和模具(1)之间延伸。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述电磁设备(14，15)包括设置在模具(16)的相对侧的线圈，并且所述屏蔽(19)包括用于每个线圈的分离的屏蔽(19a，19b)。

12.根据权利要求11所述的连续铸造设备，其特征在于，每个屏蔽(19a，19b)具有的宽度等于或者大于与其关联的线圈的宽度，并且每个屏蔽被定位成使得其将整个线圈从模具(16)屏蔽开。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，至少沿着所述屏蔽的部分，所述屏蔽(10，11)包括由空隙隔开的至少两个相邻的子屏蔽(10，11)。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19)包括基于铜的合金薄板。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19)包括基于铁磁的合金薄板。

16.根据权利要求1-15中任一项所述的连续铸造设备，其特征在于，所述连续铸造设备连接到变频器并且由所述变频器提供电流。