[发明专利]用于仿真电源控制装置中的理想二极管的系统和方法

权利要求书

1.一种用于仿真理想二极管的电路，所述电路包含：

至少一个场效应晶体管，其包含源极、漏极、栅极和体二极管；以及

比较器，其包含耦合到所述源极的第一输入、耦合到所述漏极的第二输入和耦合到所述栅极的输出；

其中所述比较器被配置为基于所述源极的电压是否高于所述漏极的电压而激活所述至少一个场效应晶体管；以及

其中所述体二极管包含耦合到所述源极的阳极和耦合到所述漏极的阴极。

2.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其中所述至少一个场效应晶体管包含并联耦合的多个场效应晶体管。

3.根据权利要求2所述的理想二极管电路：

其中所述多个并联的场效应晶体管中的每一个包含源极、漏极、栅极和体二极管；

其中所述多个并联的场效应晶体管的所述源极被耦合在一起；

其中所述多个并联的场效应晶体管的所述漏极被耦合在一起；以及

其中所述多个并联的场效应晶体管的所述栅极被耦合在一起。

4.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其中所述至少一个场效应晶体管包含MOSFET。

5.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其中所述MOSFET的导通电阻为4毫欧。

6.根据权利要求1所述的理想二极管电路：

其中所述比较器是运算放大器；

其中所述第一输入是所述运算放大器的非反相输入；以及

其中所述第二输入是所述运算放大器的反相输入。

7.一种仿真理想二极管的电路，所述电路包含：

至少一个场效应晶体管，其包含源极、漏极、栅极和体二极管；

输入；

耦合到所述漏极的输出；

控制电路，其包含：

耦合在所述输入和所述源极之间的电流传感器；和

耦合到所述栅极的控制电路输出；

其中所述控制电路被配置为基于流入所述源极的电流是否大于预定阈值而激活所述至少一个场效应晶体管；以及

其中所述体二极管包含耦合到所述源极的阳极和耦合到所述漏极的阴极。

8.根据权利要求7所述的理想二极管电路，其中所述至少一个场效应晶体管包含MOSFET。

9.根据权利要求7所述的理想二极管电路，其中所述控制电路进一步包含运算放大器，所述运算放大器耦合到所述电流传感器和所述控制电路输出。

10.根据权利要求7所述的理想二极管电路，其中所述电流传感器被配置为产生表明流入所述源极的电流的信号。

11.根据权利要求7所述的理想二极管电路，其中所述至少一个场效应晶体管包含并联耦合的多个场效应晶体管。

12.根据权利要求7所述的理想二极管电路：

其中所述多个并联的场效应晶体管中的每一个都包含源极、漏极、栅极和体二极管；

其中所述多个并联的场效应晶体管的所述源极被耦合在一起；

其中所述多个并联的场效应晶体管的所述漏极被耦合在一起；以及

其中所述多个并联的场效应晶体管的所述栅极被耦合在一起。

13.根据权利要求7所述的理想二极管电路，其中所述控制电路进一步包含：

比较器，其被配置为产生表明流入所述源极的电流是否大于所述预定阈值的信号；

禁能电路，其耦合到所述比较器，其中所述禁能电路被配置为独立于所述比较器产生的信号使所述至少一个场效应晶体管不起作用。

14.根据权利要求7所述的理想二极管电路，其中所述控制电路进一步包含：

比较器，其被配置为产生表明流入所述源极的电流是否大于所述预定阈值的信号；

状态报告电路，其耦合到所述比较器，其中所述状态报告电路被配置为报告所述至少一个场效应晶体管的状态。