[发明专利]磁记录装置无效
申请号: | 200910000112.6 | 申请日: | 2009-01-05 |
公开(公告)号: | CN101483176A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 谷崎弘晃;上野修一;村井泰光;辻高晴 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L43/08;H01L23/535 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 装置 | ||
1.一种磁记录装置,其特征在于,包括:
带配线;
接触孔,所述接触孔电连接所述带配线与位于所述带配线下层的部分;以 及
磁记录元件,所述磁记录元件俯视时与所述接触孔的形成位置分离地配 置,且形成在所述带配线上;其中
所述磁记录元件具有:
固定层,所述固定层磁化方向被固定;以及
记录层,所述记录层形成在所述固定层上,且磁化方向根据外部磁场而变 化;
所述记录层的俯视形状,相对于所述记录层的易磁化轴方向为非对称,相 对于与所述易磁化轴垂直的对称轴为对称;
靠近所述记录层的面积中心这一侧的、所述记录层的轮廓部面向所述接触 孔侧。
2.如权利要求1所述的磁记录装置,其特征在于:
所述带配线的俯视形状大致为长方形,
俯视时,在所述带配线的长度方向上并排地配置着所述接触孔与所述磁记 录元件。
3.如权利要求2所述的磁记录装置,其特征在于:
所述磁记录元件为多个,
至少一个以上的第一数量的所述磁记录元件是相邻接的所述磁记录元件之 间设为既定的间隔,且并排地配置在所述接触孔的第一侧,
至少一个以上的第二数量的所述磁记录元件是相邻接的所述磁记录元件之 间设为既定的间隔,且并排地配置在与所述第一侧为相反侧的所述接触孔的第 二侧。
4.如权利要求2所述的磁记录装置,其特征在于:
所述磁记录元件为多个,
所有的所述磁记录元件是相邻接的所述磁记录元件之间设为既定的间隔, 而并排地配置在所述接触孔的一方侧。
5.一种磁记录装置,其特征在于,包括:
带配线;
接触孔,所述接触孔电连接所述带配线与位于所述带配线下层的部分;以 及
磁记录元件,所述磁记录元件俯视时与所述接触孔的形成位置分离地配 置,且形成在所述带配线上;且
所述磁记录元件具有:
固定层,所述固定层磁化方向被固定;以及
记录层,所述记录层形成在所述固定层上,且磁化方向根据外部磁场而变 化;
所述记录层的俯视形状,相对于所述记录层的易磁化轴方向为非对称,相 对于与所述易磁化轴垂直的对称轴为对称;
所述记录层的与所述易磁化轴相对的一方的轮廓部具有凹陷的轮廓,
所述记录层的与所述易磁化轴相对的另一方的轮廓部具有凸出的轮廓,
所述一方的轮廓部面向所述接触孔侧。
6.如权利要求5所述的磁记录装置,其特征在于:
所述带配线的俯视形状大致为长方形,
俯视时,在所述带配线的长度方向上并排地配置着所述接触孔与所述磁记 录元件。
7.如权利要求5所述的磁记录装置,其特征在于:
所述接触孔于俯视时配置在所述对称轴的延长线上。
8.如权利要求6所述的磁记录装置,其特征在于:
面向所述另一方轮廓部的、所述带配线的拐角部,具有沿着所述另一方轮 廓部的形状的形状。
9.如权利要求8所述的磁记录装置,其特征在于:
面向所述带配线的端缘部的所述另一方的轮廓部、与所述带配线的所述端 缘部间的距离为0.1μm以上。
10.如权利要求9所述的磁记录装置,其特征在于:
面向所述带配线的所述端缘部的所述另一方的轮廓部与所述带配线的所述 端缘部之间所存在的、所述带配线区域的宽度为固定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的