[发明专利]在化学机械抛光中使用组分可调冲洗液冲洗晶片

权利要求书

1.一种制造晶片上集成电路的方法，包括以下步骤：

抛光所述晶片；

使用包含碳酸的组分可调冲洗液冲洗所述晶片；以及

后抛光清洗所述晶片的步骤，其中后抛光清洗所述晶片的步 骤包括利用组分可调冲洗液对所述晶片执行额外冲洗，

其中，所述冲洗晶片的步骤执行在所述抛光晶片的步骤 之后以及所述后抛光清洗晶片的步骤之前，所述冲洗晶片的步骤 执行在所述抛光晶片的步骤过程中，或者所述冲洗晶片的步骤执 行在所述抛光晶片步骤之前，

其中，所述冲洗步骤与所述后抛光清洗步骤中至少一个 包括：对所述晶片执行第一冲洗，其中所述组分可调冲洗液具有 第一浓度的二氧化碳；以及对所述晶片执行第二冲洗，其中所述 组分可调冲洗液具有区别于所述第一浓度的第二浓度二氧化碳， 其中，所述组分可调冲洗液还包括去离子水。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括产生所述组分可调冲洗 液的步骤，所述步骤包括：

提供混合器；

将去离子水引入所述混合器中；以及

将二氧化碳进入所述混合器中。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

所述组分可调冲洗液的PH值低于6.9；

所述组分可调冲洗液的导电率值位于1μS/cm到15μS/cm之 间；及/或

所述组分可调冲洗液的二氧化碳浓度位于0.0001mM到 0.75mM之间。

4.一种制造晶片上集成电路的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述晶片结合到抛光头上，其中所述抛光头放置在抛光垫 上方；

向所述抛光垫上喷洒研磨液；

抛光所述晶片；

在抛光所述晶片的步骤之后，利用PH值不等于7的组分可调 冲洗液对所述晶片进行冲洗；

从所述抛光头上取下所述晶片；以及

后抛光清洗所述晶片，其中后抛光清洗所述晶片的步骤包括 利用组分可调冲洗液对所述晶片执行额外冲洗，

其中所述冲洗步骤与所述后抛光清洗步骤中至少一个包括：

对所述晶片执行第一冲洗，其中所述组分可调冲洗液具有第 一浓度的二氧化碳；以及

对所述晶片执行第二冲洗，其中所述组分可调冲洗液具有区 别于所述第一浓度的第二浓度二氧化碳；

所述组分可调冲洗液还包括去离子水。

5.如权利要求4所述的方法，其中

所述组分可调冲洗液的PH值与去离子水的PH值之间的差值 大于0.1；及/或

所述组分可调冲洗液的导电率值在1μS/cm到15μS/cm之间。

6.如权利要求4所述的方法，还包括，在向所述抛光垫上喷洒研 磨液的步骤之前，利用组分可调冲洗液对所述晶片执行额外冲洗。

7.一种制造晶片上集成电路的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述晶片结合到抛光头上；

向抛光垫上喷洒研磨液；

使用所述抛光垫抛光所述晶片；

将二氧化碳溶解到去离子水中，以产生组分可调冲洗液，其 中所述组分可调冲洗液的导电率大于1μS/cm；

在抛光所述晶片的步骤之后，利用所述组分可调冲洗液对所 述晶片进行冲洗；

从所述抛光头上取下所述晶片；以及

后抛光清洗所述晶片，

其中所述冲洗步骤与所述后抛光清洗步骤中至少一个包括：

对所述晶片执行第一冲洗，其中所述组分可调冲洗液具有第 一浓度的二氧化碳；以及

对所述晶片执行第二冲洗，其中所述组分可调冲洗液具有区 别于所述第一浓度的第二浓度二氧化碳，

所述组分可调冲洗液还包括去离子水。

8.如权利要求7所述的方法，其中后抛光清洗所述晶片的步骤是 通过利用所述组分可调冲洗液再次冲洗所述晶片来执行，并且其 中所述方法还包括，在所述向抛光垫上喷洒研磨液的步骤之前， 使用所述组分可调冲洗液第三次冲洗所述晶片的步骤。

9.一种根据前述任一项所述的方法制造晶片上集成电路的设备， 包括：

抛光垫；

位于所述抛光垫上方的可移动冲洗臂；

后抛光清洗器，所述后抛光清洗器包括用于刷动所述晶片的 刷子以及对准所述晶片的喷嘴；

用来混合添加物与去离子水的混合器；以及

将所述混合器连接到所述冲洗臂和所述喷嘴至少一个的管 道，

其中在所述混合器中，组分可调冲洗液的二氧化碳浓度能够 不时地改变，并且其中，所述组分可调冲洗液还包括去离子水。