[发明专利]氮化物系半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体元件的制造方法，该氮化物系半导体元件使用了条状的位错集中区域和非位错集中区域交互地存在、位错集中区域从表面贯通到背面的氮化物系半导体基板，该制造方法的特征在于，包括以下的工序：

层叠工序，在所述氮化物系半导体基板的表面上层叠氮化物系半导体层；

槽形成工序，在氮化物系半导体基板的表面上，在位错集中区域的两侧的非位错集中区域中形成一对槽，

在此，该槽形成工序在所述层叠工序之前进行，

所述氮化物系半导体基板的表面是(H、K、-H-K、0)面。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：

将槽的深度设为0.7～2.5μm的范围，将槽的半值宽度设为70～20μm的范围。

3.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：

在所述基板的表面上，在所述槽和没有形成所述槽的区域的分界处形成角部分，所述氮化物系半导体层形成为在所述角部分具有突起的倾斜部。

4.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：

所述氮化物系半导体元件是半导体激光器。

5.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括以下的工序：

分离工序，在所述槽部分离所述基板，

在此，该槽形成工序在所述层叠工序之前进行，

所述分离工序在所述层叠工序之后进行。

6.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：

所述槽从所述氮化物系半导体基板的表面朝着所述槽的底面方向近乎呈直角地形成有台阶部。

7.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：

所述槽的台阶部的剖面为台形状。

8.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：

所述槽的台阶部的剖面为反台形状。

9.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于：

所述槽的剖面为台阶形状。

10.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括以下的工序：

直角槽形成工序，拉开间隔地形成沿着与所述槽成直角的方向延伸的直角槽，

该直角槽的间隔，按照使从间隔减了直角槽的槽宽的长度为氮化物系半导体激光元件的光路长或者其光路长的整数倍数的长度的方式形成，

在此，该直角槽形成工序与所述槽形成工序同时进行。

11.一种使用了条状的位错集中区域和非位错集中区域交互地存在、位错集中区域从表面贯通到背面的氮化物系半导体基板的氮化物系半导体元件，其特征在于：

在氮化物系半导体基板的非位错集中区域的至少一端部形成有台阶部，

在所述氮化物系半导体基板的非位错集中区域的表面形成有氮化物系半导体层，

所述氮化物系半导体基板的表面是(H、K、-H-K、0)面，

在所述基板的表面具有形成在所述台阶部的分界处的角部分，

所述氮化物系半导体层形成为在所述角部分具有突起的倾斜部。

12.根据权利要求11所述的氮化物系半导体元件，其特征在于：

所述台阶部从所述氮化物系半导体基板的表面朝着所述台阶部的底面方向近乎呈直角地形成。

13.根据权利要求11所述的氮化物系半导体元件，其特征在于：

所述台阶部的剖面为台形状。

14.根据权利要求11所述的氮化物系半导体元件，其特征在于：

所述台阶部的剖面为反台形状。

15.根据权利要求11所述的氮化物系半导体元件，其特征在于：

所述台阶部的剖面为台阶形状。

16.根据权利要求11所述的氮化物系半导体元件，其特征在于：

所述氮化物系半导体元件为半导体激光器。