[发明专利]使用CMP的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910001321.2 | 申请日： | 2005-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101471288A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 井谷直毅 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/762;H01L21/02;H01L27/04;H01L29/78;B24B37/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;陈 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 cmp 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：
(a)在半导体衬底上形成布线；
(b)在所述步骤(a)之后，通过高密度等离子体化学气相沉积来沉积第一绝缘膜，所述第一绝缘膜掩埋所述布线；
(c)在所述步骤(b)之后，通过不同于高密度等离子体化学气相沉积的沉积方法，在所述第一绝缘膜上沉积第二绝缘膜；以及
(d)在所述步骤(c)之后，通过使用包含二氧化铈磨粒的研磨剂进行化学机械抛光将所述第二绝缘膜平坦化；
其中所述步骤(d)包括使用第一浆料的第一抛光步骤和使用第二浆料的第二抛光步骤，在将不平坦的表面平坦化时所述第一抛光步骤的抛光速率急剧下降，而所述第二抛光步骤的抛光速率比所述第一抛光步骤的抛光速率快；以及
其中所述第二浆料为利用水稀释的所述第一浆料。
2.按照权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中通过在抛光台上混合所述第一浆料与水形成所述第二浆料。
3.按照权利要求1至2中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中用于沉积所述第二绝缘膜的、不同于高密度等离子体化学气相沉积的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积。
4.按照权利要求1至2中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中所述第一绝缘膜为磷硅酸盐玻璃膜或硼磷硅酸盐玻璃膜。
5.按照权利要求1至2中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中：
所述半导体衬底为硅衬底；并且
在所述步骤(a)之前，该制造方法还包括如下步骤：
(x)在所述硅衬底中形成沟槽，所述沟槽隔离有源区；
(y)通过高密度等离子体化学气相沉积在所述硅衬底上沉积未掺杂的硅酸盐玻璃膜，所述硅酸盐玻璃膜掩埋所述沟槽；以及
(z)使用包含二氧化铈磨粒的研磨剂通过化学机械抛光去除所述沟槽外部的所述硅酸盐玻璃膜。
6.按照权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中在所述步骤(c)中，使用四乙氧基硅烷作为硅源通过等离子体增强化学气相沉积形成所述第二绝缘膜，并且所述步骤(z)和所述步骤(d)所使用的研磨剂具有相同的成分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
