[发明专利]层叠器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及将半导体器件层叠构成的层叠器件制造方法。

背景技术

在半导体器件制造工序中，使用在大致圆板形状的半导体晶片的表 面上呈格子状排列的被称为间隔道(street)的分割预定线来划分出多个 区域，在该划分出的区域内形成IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路) 等的器件。然后，通过将半导体晶片沿间隔道切断来分割形成有器件的 区域，制造出各个器件。

为了提高半导体器件的功能，将各个器件层叠而成的层叠器件得到 实用化。将各个器件层叠而成的层叠器件的制造方法已经公开在下述专 利文献1中。在下述专利文献1公开的层叠器件制造方法中，对晶片的 背面进行磨削来将晶片厚度形成为200μm左右，使这样磨削了背面的多 个晶片的表面和背面面对，以使彼此的间隔道一致的方式进行接合来形 成层叠晶片，之后使用切削装置等切割装置来将层叠晶片沿间隔道切断， 从而形成层叠器件。

【专利文献1】日本特开昭60-206058号公报

这样，由于晶片厚度是200μm左右，因而在将5枚晶片层叠时，层 叠器件的厚度为1000μm以上。

近年，电气设备的轻量化、小型化的要求提高，当把晶片厚度形成 为100μm以下时，即使将10枚以上的晶片层叠，也能使层叠器件的厚度 为1000μm以下，可进一步提高层叠器件的功能。

然而，当把晶片厚度形成为100μm以下时，刚性显著下降而容易破 损，具有晶片的输送和层叠等处理变得困难的问题。

另一方面，即使使晶片厚度变薄也能确保刚性的晶片已经公开在下 述专利文献2中。下述专利文献2公开的晶片具有形成有多个器件的器 件区域和围绕该器件区域的外周围绕区域，对该晶片的背面中的与器件 区域对应的区域进行磨削来将器件区域的厚度形成为规定厚度，并使晶 片的背面中的外周围绕区域保留来形成环状加强部。

【专利文献2】日本特开2007-19461号公报

发明内容

本发明正是鉴于上述事实而完成的，提供一种可应用上述日本特开 2007-19461号公报公开的晶片来获得即使使晶片厚度变薄也不会破损 地进行层叠且整体厚度薄的层叠器件的层叠器件制造方法。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种层叠器件制 造方法，该层叠器件制造方法使用加强晶片来制造层叠器件，该加强晶 片在表面上具有：由呈格子状排列的间隔道划分出多个区域并在该划分 出的区域内形成有器件的器件区域、以及围绕该器件区域的外周剩余区 域，在该加强晶片中，背面中的与器件区域对应的区域被磨削而将器件 区域的厚度形成为规定厚度，并且，与该外周剩余区域对应的区域被保 留而形成环状加强部，其特征在于，该层叠器件制造方法包含：

晶片层叠工序，准备基盘晶片，该基盘晶片具有比该加强晶片的该 环状加强部的内径稍小的直径，并在表面上形成有与该加强晶片的形成 在该器件区域内的多个间隔道和多个器件对应的多个间隔道和多个器 件，使该基盘晶片的表面面对该加强晶片中的与该器件区域对应的背面， 使相互对应的间隔道一致来接合，形成层叠晶片；

电极连接工序，在形成于构成该层叠晶片的该加强晶片的各器件上 的电极所在的部位，形成到达形成在该基盘晶片的各器件上的电极的通 孔，在该通孔内埋设导电体来将电极之间连接；以及

分割工序，在实施了该电极连接工序之后，将该层叠晶片沿间隔道 切断，分割成各个层叠器件。

在实施上述分割工序之前，实施以下工序：环状加强部去除工序， 去除环状加强部，以使构成层叠晶片的加强晶片具有比环状加强部的内 径稍小的直径；第2晶片层叠工序，使实施了环状加强部去除工序的层 叠晶片中的加强晶片的表面面对接下来要层叠的加强晶片中的与器件区 域对应的背面，使相互对应的间隔道一致来接合；以及第2电极连接工 序，在形成于通过第2晶片层叠工序而层叠的上侧的加强晶片的各器件 上的电极所在的部位，形成到达形成在下侧的加强晶片的各器件上的电 极的通孔，在通孔内埋设导电体来将电极之间连接。

重复实施上述环状加强部去除工序和第2晶片层叠工序以及第2电 极连接工序，形成多层的层叠晶片。

并且，在实施上述分割工序之前，实施对基盘晶片的背面进行磨削 来形成为规定厚度的基盘晶片磨削工序。