[发明专利]透明型太阳能电池模块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910001650.7 申请日: 2009-01-09
公开(公告)号: CN101777598A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 黄建福;郭昭显;方宣尹 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075;H01L31/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 透明 太阳能电池 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种透明型太阳能电池模块,包括:

透明基板;

第一透明电极位于该透明基板上;

第一导电型层位于该第一透明电极上;

本征层位于该第一导电型层上;

第二导电型堆叠层位于该本征层上,且该第二导电型堆叠层是由至少两种具有不同折射率的第二导电型材料层相互堆叠而成;以及

第二透明电极位于该第二导电型堆叠层上。

2.如权利要求1所述的透明型太阳能电池模块,其中该第一导电型层为P型层且该第二导电型堆叠层为N型堆叠层。

3.如权利要求2所述的透明型太阳能电池模块,其中该N型堆叠层是由至少一低折射率的N型材料层与至少一高折射率的N型材料层相互堆叠而成,其中该高折射率的N型材料层的折射率与该低折射率的N型材料层的折射率的差大于或等于1。

4.如权利要求3所述的透明型太阳能电池模块,其中该低折射率的N型材料层的折射率为2~2.5,该高折射率的N型材料层的折射率为3~4。

5.如权利要求3所述的透明型太阳能电池模块,其中该高折射率的N型材料层的材料包括N型非晶硅或N型微晶硅,该低折射率的N型材料层的材料包括N型氧化硅、N型氮化硅或N型碳化硅。

6.如权利要求3所述的透明型太阳能电池模块,其中该低折射率的N型材料层配置于该本征层与该高折射率的N型材料层之间,该高折射率的N型材料层配置于该低折射率的N型材料层与第二透明电极之间。

7.如权利要求1所述的透明型太阳能电池模块,其中该至少两种具有不同折射率的第二导电型材料层选自可将该透明型太阳能电池模块的穿透频谱色标限制在CIE(x,y),0.45<x<0.55,0.4<y<0.5所构成的矩形区域内的材料。

8.如权利要求1所述的透明型太阳能电池模块,其中该至少两种具有不同折射率的第二导电型材料层的材料选自可将该透明型太阳能电池模块的穿透频谱的演色性调整至大于80的材料。

9.如权利要求1所述的透明型太阳能电池模块,其中该至少两种具有不同折射率的第二导电型材料层的材料选自可将该透明型太阳能电池模块的穿透频谱色温调整至开氏2000度以上的材料。

10.如权利要求1所述的透明型太阳能电池模块,其中该第一导电型层为N型层且该第二导电型堆叠层为P型堆叠层。

11.如权利要求2或10所述的透明型太阳能电池模块,其中该P型层包括P型非晶硅、P型微晶硅、P型碳化硅或P型氧化硅。

12.如权利要求1所述的透明型太阳能电池模块,其中该本征层的材料包括本征非晶硅、本征微晶硅、本征非晶硅掺杂氟、或本征微晶硅掺杂氟。

13.如权利要求1所述的透明型太阳能电池模块,其中该第一透明电极的材料与该第二透明电极的材料包括透明导电氧化物。

14.如权利要求1所述的透明型太阳能电池模块,其中该透明基板为硬式基板或可挠式基板。

15.一种透明型太阳能电池模块的制造方法,包括:

在透明基板上形成第一透明电极;

在该第一透明电极上形成第一导电型层;

在该第一导电型层上形成本征层;

在该本征层上形成第二导电型堆叠层,该第二导电型堆叠层是由至少两种具有不同折射率的第二导电型材料层相互堆叠而成;以及

在该第二导电型堆叠层上形成第二透明电极。

16.如权利要求15所述的透明型太阳能电池模块的制造方法,其中该第一导电型层为P型层且该第二导电型堆叠层为N型堆叠层。

17.如权利要求16所述的透明型太阳能电池模块的制造方法,其中该N型堆叠层是由至少一低折射率的N型材料层与至少一高折射率的N型材料层相互堆叠而成,其中该高折射率的N型材料层的折射率与该低折射率的N型材料层的折射率的差大于或等于1。

18.如权利要求17所述的透明型太阳能电池模块的制造方法,其中该低折射率的N型材料层的折射率为2~2.5,该高折射率的N型材料层的折射率为3~4。

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