[发明专利]双波长半导体激光器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种双波长半导体激光器装置，其在第1导电型的单结晶半导体 基板上具备各自在光谐振器端面附近具有窗结构的第1半导体激光器元件 及第2半导体激光器元件，

所述第1半导体激光器元件至少具备在所述半导体基板上依次形成的 第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由 AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第 2引导层、和第2导电型的第2包覆层；

所述第2半导体激光器元件至少具备在所述半导体基板上依次形成的 第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由 AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的 第4引导层、和第2导电型的第4包覆层；

至少构成所述第1量子阱活性层的势垒层、所述第1引导层、和所述 第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下，

所述第1半导体激光器元件的所述窗结构中的所述第1量子阱活性层 内的第1杂质的峰值浓度，比所述第2半导体激光器元件的所述窗结构中 的所述第2量子阱活性层内的第2杂质的峰值浓度高；

所述第2杂质的峰值浓度为1×10¹⁸/cm³以上且1×10¹⁹/cm³以下，

所述第1半导体激光器元件的所述窗结构中的所述第1杂质的所述半 导体基板侧的扩散端，在所述第1包覆层的内部中终止；

所述第2半导体激光器元件的所述窗结构中的所述第2杂质的所述半 导体基板侧的扩散端，在所述第3包覆层的内部中终止；

从所述第1量子阱活性层至所述第1杂质的所述半导体基板侧的扩散 端的距离，比从所述第2量子阱活性层至所述第2杂质的所述半导体基板 侧的扩散端的距离小。

2.根据权利要求1所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

从所述第1量子阱活性层至所述第1杂质的所述半导体基板侧的扩散 端的距离为0.8μm以下。

3.根据权利要求1所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

自所述第1半导体激光器元件的所述窗区域的、由光致发光法或阴极 发光法得到的光谱的第1峰值波长为730nm以下；

自所述第2半导体激光器元件的所述窗区域的、由光致发光法或阴极 发光法得到的光谱的第2峰值波长为595nm以下。

4.根据权利要求3所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

所述第1峰值波长为710nm以下。

5.根据权利要求3所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

所述第1半导体激光器元件的振荡波长为760nm以上且790nm以下；

所述第2半导体激光器元件的振荡波长为650nm以上且670nm以下。

6.根据权利要求1所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

所述第1半导体激光器元件及所述第2半导体激光器元件各自的CW 动作时的光输出为200mW以上。

7.根据权利要求6所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

所述第1半导体激光器元件及所述第2半导体激光器元件各自的垂直 扩展角为18°以下。

8.根据权利要求7所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

所述第2引导层的膜厚为10nm以上且43nm以下。

9.根据权利要求1所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

构成所述第1量子阱活性层的阱层由GaAs构成；

构成所述第2量子阱活性层的阱层由GaInP构成。

10.根据权利要求9所述的双波长半导体激光器装置，其特征在于：

构成所述第1量子阱活性层的阱层的膜厚，比构成所述第1量子阱活 性层的势垒层的膜厚薄。