[发明专利]热处理炉无效
| 申请号： | 200910001971.7 | 申请日： | 2009-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101499410A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 小林诚;山贺健一;中尾贤 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/205;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 | ||
1.一种热处理炉，其特征在于，包括：
围绕用于收纳被处理体并对其进行热处理的处理容器的筒状的隔热部件；
以螺旋状设置于所述隔热部件的内周面上的电阻发热体；
设置于所述隔热部件的内周面上，并以使得所述电阻发热体能够在径向热膨胀收缩的方式支撑该电阻发热体的支撑体；和
设置于所述电阻发热体上，并通过与所述支撑体的一个侧面抵接而阻止该电阻发热体向下方移动的移动阻止部件。
2.如权利要求1所述的热处理炉，其特征在于，还包括：
设置于所述电阻发热体上、并在径向贯通所述隔热部件伸出到外部的多个端子板。
3.如权利要求1所述的热处理炉，其特征在于：
所述移动阻止部件以不向所述隔热部件侧突出并向上下方向伸出的形状通过熔接固定在电阻发热体上。
4.如权利要求1所述的热处理炉，其特征在于：
所述支撑体具有：前端被埋设在所述隔热部件中并沿水平方向延伸的水平部，和设置于该水平部的后端并沿铅直方向延伸的垂直部，其中，
所述水平部的上表面和所述垂直部的正面形成为曲面状。
5.如权利要求4所述的热处理炉，其特征在于：
在所述水平部的下表面上设置有沿着长度方向的槽。
6.如权利要求1所述的热处理炉，其特征在于：
所述移动阻止部件设置有多个，
一个移动阻止部件相对于在上下方向相邻的其它移动阻止部件配置于在所述隔热部件周方向上错开的位置。
7.如权利要求6所述的热处理炉，其特征在于：
所述支撑体沿着所述隔热部件的周方向设置有多个，
一个移动阻止部件能够抵接的支撑体相对于在上下方向相邻的其它移动阻止部件能够抵接的支撑体，配置于在所述隔热部件的周方向上不同的位置。
8.如权利要求1所述的热处理炉，其特征在于：
所述移动阻止部件由与所述电阻发热体相同的材料形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
