[发明专利]电力转换装置无效
申请号: | 200910001979.3 | 申请日: | 2009-01-24 |
公开(公告)号: | CN101499736A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 花泽昌彦;滝泽将光;铃木究 | 申请(专利权)人: | 富士电机系统株式会社 |
主分类号: | H02M7/48 | 分类号: | H02M7/48 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 转换 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种电力转换装置,其将转换为任意频率及振幅的单相交流 电压并输出的各个单位逆变器的输出端串联多级连接。
背景技术
图7是表示当使用3组这种电力转换装置形成三相逆变器时的现有技术 的电路结构图。
在该图中,符号10是包含具有1个二次绕组或多个相互绝缘的二次绕组 的1台或多台变压器的变压器电路。符号11~13、21~23、31~33是图8所示 的电路结构的单位逆变器。符号40是用来控制串联多级连接单位逆变器的电 力转换装置整体的控制装置,是生成用来将单位逆变器11~13、21~23、31~ 33分别控制为所希望状态的电压指令或PWM脉冲指令的控制装置。
图7所示的电路结构中,各单位逆变器11、21、31输出的一端相互连接, 同时,串联多级连接各单位逆变器11~13的输出端,形成三相逆变器的U相。 并且,串联多级连接各单位逆变器21~23的输出端,形成三相逆变器的V相。 串联多级连接各单位逆变器31~33的输出端,形成三相逆变器的W相。
另外,作为图7所示的变压器电路10,采用9台具有1组二次绕组的三相 变压器的结构、3台具有3组相互绝缘的二次绕组的三相变压器的结构、1台 具有9组相互绝缘的二次绕组的三相变压器的结构等。
图8是图7所示的单位逆变器的电路结构图。
该单位逆变器的主电路由三相桥接二极管的整流电路RC以及逆变器电 路INV形成,其中,将用来平滑该整流电路RC的输出电压的电容器C和作为 自消弧型半导体元件的IGBT(绝缘栅双极晶体管)Q1~Q4以及二极管D1~ D4的逆并联电路单相桥接,构成逆变器电路INV。
并且,该单位逆变器配备有控制电路CTR,该控制电路CTR用来执行基 于来自图7所示的控制装置40的电压指令或PWM脉冲指令的PWM(脉冲宽度 调制)运算或分配运算。由该控制电路CTR生成分别输出至IGBT Q1~Q4的 驱动信号。这些驱动信号由栅极驱动电路GDU转换为分别输出至IGBT Q1~ Q4的导通(ON)/截止(OFF)信号。
即,在该单位逆变器中,按照基于所述导通/截止信号的逆变器电路INV 的切换操作,转换为所希望的频率及振幅的单相交流电压。
图9A和图9B是表示图8所示的电路结构的单位逆变器的组成结构概念 的示意性外形图,其中图9A是平面图,图9B是正面图。
在该图中,CTR、RC、INV等记号、名称与图8所示相同。如图所示, 单位逆变器从前面侧起按整流电路RC、逆变器电路INV、栅极驱动电路GDU 的顺序配置。形成整流电路RC、逆变器电路INV的半导体元件搭载在图示的 冷却鳍片上。在单位逆变器的前面侧中央,设置从图7所示的变压器电路10 接受供电的交流输入端子101,在交流输入端子101的两侧,分别设置作为图 8所示的“输出1”、“输出2”的第一输出端子102、第二输出端子103。而 且,逆变器电路INV与输出端子102、输出端子103分别通过第一导线102a、 第二导线103a连接。
从该图还明显得出,交流输入端子101、第一输出端子102、第二输出端 子103等的面向外部的连接端子之类全部配置在前面,以便能够在该单位逆 变器设置在壳体内的状态下,执行保养/检修。
下面列出与本申请的发明相关联的现有技术文献。
[专利文献1]特开2000-92855号公报(段落0006~0008、图14~18)
图10是在图7所示的三相逆变器中,当将图8、图9A及图9B所示结构的单 位逆变器用作单位逆变器11~13、21~23、31~33时壳体内的局部配置图。 如该图所示,单位逆变器分别按各相,在壳体内配置在纵方向,通过汇流条等 的导体201、202、203连接各个单位逆变器的输出端子102和输出端子103。
从该图还明显得出,连接单位逆变器11的输出端子102和单位逆变器12 的输出端子103之间的导体202、连接单位逆变器12的输出端子102和单位逆 变器13的输出端子103之间的导体202、连接单位逆变器21的输出端子102和 单位逆变器22的输出端子103之间的导体202等沿左右方向走线。因此,其配 线长度变长,其结果是,存在配线材料的成本上升及制造工时上升的问题。
发明内容
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