[发明专利]碳纳米管复合膜的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管复合膜的制备方法，包括以下步骤：

提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个平行于其表面的碳纳米管；

提供一真空容器，该真空容器具有一沉积区间，该沉积区间底部和顶部分别 放置至少一个蒸发源，所述蒸发源的材料为待沉积的导电材料；

设置上述碳纳米管膜于所述上下蒸发源中间并间隔一定距离，该碳纳米管膜 正对所述上下蒸发源设置；以及

加热所述蒸发源，使该蒸发源熔融后蒸发或升华形成导电材料蒸汽，该导电 材料蒸汽遇到冷的碳纳米管膜后，在碳纳米管膜上下表面凝聚，形成导电材 料附着于所述碳纳米管膜上下表面。

2.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述多个碳纳 米管之间有间隙。

3.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成导电 材料的过程包括形成一层导电层于所述碳纳米管膜的上下表面。

4.如权利要求3所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述导电层的 材料为金、银、铜或其合金，该导电层的厚度为1～20纳米。

5.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成导电 材料的过程包括形成一层润湿层于所述碳纳米管膜上下表面的步骤及形成一 导电层于所述润湿层的外表面。

6.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成导电 材料的过程包括形成一层润湿层于所述碳纳米管膜上下表面、形成一过渡层 于所述润湿层的外表面以及形成一导电层于所述过渡层的外表面。

7.如权利要求3、5或6所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在所 述形成导电层的步骤之后进一步包括形成一层抗氧化层于所述导电层的外表 面。

8.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在所述形成导 电材料于所述碳纳米管膜上下表面之后，可进一步包括在所述导电材料的外 表面形成强化层的步骤。

9.如权利要求8所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成强化 层的步骤具体包括以下步骤：将形成有导电材料的碳纳米管结构通过一装有 聚合物溶液的装置，使聚合物溶液浸润整个碳纳米管结构，该聚合物溶液通 过分子间作用力粘附于所述导电材料的外表面；以及固化聚合物溶液，形成 一强化层。

10.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在形成导电 材料附着于所述碳纳米管膜的上下表面之前，进一步包括对碳纳米管膜进行 激光减薄的步骤。

11.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述导电材 料形成在所述碳纳米管膜中的每个碳纳米管表面。

12.一种碳纳米管复合膜的制备方法，包括以下步骤：

提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管，相邻的碳纳米管之间有 间隙，且该碳纳米管膜具有自支撑结构；

提供一真空容器，该真空容器具有一沉积区间，该沉积区间底部和顶部分别 放置至少一个蒸发源，所述蒸发源的材料为待沉积的导电材料；

设置上述碳纳米管膜于所述上下蒸发源中间并间隔一定距离，该碳纳米管膜 正对所述上下蒸发源设置；以及

加热所述蒸发源，使该蒸发源熔融后蒸发或升华形成导电材料蒸汽，该导电材 料蒸汽遇到冷的碳纳米管膜后，在碳纳米管膜上下表面凝聚，形成导电材料附 着于所述碳纳米管膜上下表面。