[发明专利]线缆无效
申请号: | 200910002459.4 | 申请日: | 2009-01-16 |
公开(公告)号: | CN101499331A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 姜开利;刘亮;刘锴;赵清宇;翟永超;范守善 | 申请(专利权)人: | 北京富纳特创新科技有限公司;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01B7/17 | 分类号: | H01B7/17;H01B1/02;H01B1/04;C01B31/00;B82B1/00 |
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地址: | 100084北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线缆 | ||
1.一种线缆,包括至少一个缆芯、包覆在缆芯外的至少一个绝缘结构、包覆在绝缘结构外的至少一个屏蔽结构和包覆在屏蔽结构外的一个保护结构,该缆芯包括导电材料及多个碳纳米管,其特征在于,该缆芯中的碳纳米管沿缆芯轴向有序排列,该导电材料包覆于碳纳米管表面。
2.如权利要求1所述的线缆,其特征在于,所述每一碳纳米管表面设置有一导电层。
3.如权利要求2所述的线缆,其特征在于,所述表面包覆有导电材料的碳纳米管通过范德华力首尾相连。
4.如权利要求3所述的线缆,其特征在于,所述缆芯中的碳纳米管沿缆芯轴向择优取向排列。
5.如权利要求3所述的线缆,其特征在于,所述缆芯中的碳纳米管绕该缆芯的轴向螺旋状旋转排列。
6.如权利要求1所述的线缆,其特征在于,所述碳纳米管包括单壁碳纳米管,双壁碳纳米管或多壁碳纳米管,所述单壁碳纳米管的直径为0.5纳米~50纳米,双壁碳纳米管的直径为1纳米~50纳米,多壁碳纳米管的直径为1.5纳米~50纳米。
7.如权利要求2所述的线缆,其特征在于,所述导电层的材料为铜、银、金或其合金,所述导电层的厚度为1~20纳米。
8.如权利要求2所述的线缆,其特征在于,所述缆芯进一步包括一润湿层设置于所述导电层与碳纳米管表面之间,所述润湿层的材料为铁、钴、镍、钯、钛或其合金,所述润湿层的厚度为1~10纳米。
9.如权利要求8所述的线缆,其特征在于,所述缆芯进一步包括一过渡层设置于所述导电层与润湿层之间,所述过渡层的材料为铜、银或其合金,所述过渡层的厚度为1~10纳米。
10.如权利要求2所述的线缆,其特征在于,所述缆芯进一步包括一抗氧化层设置于所述导电层外表面,所述抗氧化层的材料为金、铂或其合金,所述抗氧化层的厚度为1~10纳米。
11.如权利要求2所述的线缆,其特征在于,所述缆芯进一步包括一强化层设置于所述导电层外表面,所述强化层的材料为聚乙烯醇、聚苯撑苯并二噁唑、聚乙烯或聚氯乙烯,所述强化层的厚度为0.1~1微米。
12.如权利要求1所述的线缆,其特征在于,所述的线缆为同轴线缆,该同轴线缆包括由内至外同轴依次设置的一个缆芯、包覆缆芯外表面的一个绝缘结构、包覆绝缘结构外表面的一个屏蔽结构和包覆屏蔽结构外表面的一个保护结构。
13.如权利要求1所述的线缆,其特征在于,所述的线缆包括多个缆芯、多个分别包覆在每一个缆芯外的绝缘结构、包覆绝缘结构外的一个屏蔽结构和包覆在屏蔽结构外的一个保护结构。
14.如权利要求1所述的线缆,其特征在于,所述的线缆包括多个缆芯、多个分别包覆在每一个缆芯外的绝缘结构、多个分别包覆在每一个绝缘结构外的屏蔽结构和包覆在屏蔽结构外的一个保护结构。
15.如权利要求1所述的线缆,其特征在于,所述屏蔽结构为线状结构、膜状结构或上述两种结构的组合,该线状结构直接缠绕或编织成网状缠绕在绝缘结构外,该膜状结构直接包覆或缠绕在绝缘结构外。
16.如权利要求15所述的线缆,其特征在于,所述屏蔽结构为金属线或金属膜。
17.如权利要求15所述的线缆,其特征在于,所述屏蔽结构包括碳纳米管线及碳纳米管膜中的一种或多种。
18.如权利要求15所述的线缆,其特征在于,所述屏蔽结构包括碳纳米管线与导电材料的复合以及碳纳米管膜与导电材料的复合中的一种或多种。
19.如权利要求1所述的线缆,其特征在于,所述屏蔽结构包括碳纳米管与导电材料的复合。
20.一种线缆,包括至少一个缆芯、包覆在缆芯外的至少一个绝缘结构、包覆在绝缘结构外的至少一个屏蔽结构和包覆在屏蔽结构外的一个保护结构,其特征在于,该缆芯包括至少一碳纳米管线状结构,该碳纳米管线状结构包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管及一导电材料包覆于所述碳纳米管表面。
21.如权利要求20所述的线缆,其特征在于,所述缆芯包括多个相互平行、相互扭转或相互缠绕的碳纳米管线状结构。
22.如权利要求20所述的线缆,其特征在于,所述碳纳米管线状结构的直径为4.5纳米~1毫米。
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