[发明专利]隔离式硅控整流器静电防护元件

权利要求书

1.一种隔离式硅控整流器静电防护元件，其特征在于，包含：

一个基体；

位于该基体内的具有第一传导型态的第一井区，此井区为浮接；

位于该第一井区内的具有第二传导型态的第一高浓度掺杂区；

与第一井区邻接、具有第二传导型态的第二井区；

位于该第二井区内的具有第二传导型态的第二高浓度掺杂区；以 及

位于该第二井区内的具有第一传导型态的第三高浓度掺杂区，其 中该第二高浓度掺杂区和第三高浓度掺杂区互相电性连接至同一电 位，且连接至一接地垫，

其中该第一高浓度掺杂区供与一连接垫电连接，且该第一井区内 并不设置与该连接垫连接的具有第一传导型态的高浓度掺杂区。

2.如权利要求1所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 该第二传导型态的第一高浓度掺杂区和该第一传导型态的第一井区构 成PN接面、该第二传导型态的第二井区及该第二传导型态的第二高浓 度掺杂区和该第一传导型态的第三高浓度掺杂区构成PN接面，因此该 第一高浓度掺杂区、该第一井区、该第二井区、该第二高浓度掺杂区、 该第三高浓度掺杂区构成硅控整流器。

3.如权利要求1所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 该第一传导型态为N型而第二传导型态为P型。

4.如权利要求1所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 还包含：位于该第一井区和该第二井区交界处的第四高浓度掺杂区。

5.如权利要求4所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 该第四高浓度掺杂区为第一或第二传导型态。

6.如权利要求1所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 还包含：位于该第一井区内，距离该第一井区和该第二井区交界处一 段预设距离的第五高浓度掺杂区。

7.如权利要求6所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 该第五高浓度掺杂区为第一传导型态。

8.如权利要求1所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 还包含：位于该第二井区内，距离该第一井区和该第二井区交界处一 段预设距离的第六高浓度掺杂区。

9.如权利要求8所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 该第六高浓度掺杂区为第二传导型态。

10.如权利要求1所述的隔离式硅控整流器静电防护元件，其中， 该第二和第三高浓度掺杂区与一接地垫电连接。