[发明专利]检查方法无效
申请号: | 200910003001.0 | 申请日: | 2009-01-08 |
公开(公告)号: | CN101494182A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 佐野聪;栗原大树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 方法 | ||
技术领域
本发明涉及使用探针卡进行半导体晶片等被检查体的电特性检查的检查方法,更详细而言,涉及能够提高检查的可靠性的检查方法。
背景技术
检查装置具备相互邻接的装载室和探针室。装载室具备:以盒为单位载置被检查体(例如半导体晶片)的载置部;从盒内一片一片地搬送半导体晶片的半导体晶片搬送机构;和在搬送半导体晶片的途中进行半导体晶片的对准的子静电吸盘。探针室具备:用于载置由装载室的晶片搬送机构搬送来的半导体晶片并能够进行温度调节和移动的主静电吸盘;配置在主静电吸盘的上方的探针卡;和对探针卡的多个探针与形成在主静电吸盘上的半导体晶片上的多个器件各自的多个电极垫进行对准的对准机构,该探针室构成为,通过对准机构进行半导体晶片的电极垫和探针的对准之后,利用主静电吸盘将半导体晶片设定在规定的温度,在该设定温度下进行被检查体的电特性检查。
在对半导体晶片的各个器件进行电特性检查的情况下,使用对准机构的摄像单元(例如CCD照相机),对包括形成于半导体晶片上的多个电极垫的器件进行摄像,并对探针卡的多个探针的针头进行摄像,根据该两者的位置信息进行多个电极垫和多个探针的对准。之后,通过载置台使半导体晶片上升规定尺寸,进一步进行过驱动而使多个电极垫与多个探针电接触,由此进行器件的电特性检查。但是,由于器件的高度集成化,导致电极垫急剧地精细化并且垫的数量增加,探针卡的探针的根数也急剧地增加。因此在对准时难以利用CCD照相机进行探针的检测。
而且,在重复检查的过程中,由于多个探针的变形等使得针头位置发生变动。当多个探针发生变形针头位置逐渐变高时,即使使半导体晶片过驱动也不能够使多个探针与多个电极垫导通。在专利文献1中记载有以下方式的探针,利用照相机检测出在垫片上实际上形成的针迹并将其与过驱动量进行比较,当针头位置变高时,根据比较结果使主静电吸盘上升,使得总提供适当的过驱动量,能够进行稳定的检查。
在专利文献2中记载有以下方式的检查装置,通过假想的垫片(设计上的垫片)和探针的接触状态获得位置偏移信息,不仅预先假想地监视实际的垫片和探针的接触状态,而且能够以该接触状态下获得的结果为基础,校正为最佳的接触状态。
在专利文献3中记载有以下方式的探针,该探针分别检测出针的位置和电极的位置,在显示装置中显示表示针迹的图像和针迹的位置的针迹标记,计算出针迹标记的位置偏移,操作员在图像上校正针迹标记的位置,计算针迹标记的位置偏移,根据计算出的偏移量校正半导体晶片的移动量运算校正值。
另外,在专利文献4中记载有一种检查装置,其根据形成于电极垫上的针迹求取之后进行接触的探针的位置偏移量。而且,记载有以下技术,在该检查装置中,在探针与形成有既存的针迹的电极垫接触后,获得接触后的图像,该接触后的图像表示包括该电极垫的区域,之后,通过比较该图像和接触前的图像,取得最新的针迹,使用最新的针迹校正位置偏移量,在下一检查中使用该位置偏移量。
在现有技术中,均能够通过求取多个电极与多个探针的位置偏移量,校正多个电极垫和多个探针的位置偏移,但是并不保证通过该校正多个探针能够可靠地与各个电极垫接触,而且,即使接触,如果新的针迹重复与原有的针迹接触,就会损伤电极垫,甚至会损伤器件。
专利文献1:日本特开平5-036765号
专利文献2:日本特开平7-288270号
专利文献3:日本特开2006-339196号
专利文献4:日本特开2006-278381号
发明内容
本发明是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种检查方法,该方法即使在电极垫精细化和薄膜化的情况下,也能够通过利用形成于电极垫上的针迹使被检查体的电极垫与探针高精度地反复接触,进行可靠性高的检查。另外,本发明的目的在于提供一种检查方法,该方法即使在电极垫精细化和薄膜化的情况下,也能够通过利用形成于电极垫上的针迹,不使被检查体的电极垫损伤地使该电极垫与探针高精度地反复接触,进行可靠性高的检查。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造