[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本案是申请日为2006年9月30日、申请号为200610141848.1、发明名称为 载置台、基板处理装置、等离子体处理装置及其控制方法的专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及载置台、基板处理装置、等离子体处理装置及其控制方法。具体为涉及载置台、基板处理装置、等离子体处理装置、载置台的控制方法、等离子体处理装置的控制方法、控制程序以及记录媒体，特别是涉及载置半导体晶片等的被处理基板的载置台。

背景技术

作为基板处理装置等离子体处理装置，为了制造半导体器件，在作为被处理基板的半导体晶片上进行使用等离子体的蚀刻处理等的等离子体处理。

等离子体处理装置具有进行等离子体处理用的处理室(腔室)，在该腔室内设有供给用于产生等离子体的规定的RF电力(RadioFrequency Power，射频电力)的上部电极和下部电极。下部电极还起用于载置半导体晶片的载置台(基座，susceptor)的作用。通过将规定的电压施加在所载置的半导体晶片上，载置台具有静电吸附(夹紧)半导体片的ESC(Electro Static Chuck，静电夹头)的功能。

另外，在等离子体处理装置中，通过在半导体晶片上进行等离子体处理前，进行无晶片的干清洁(WLDC，Waferless Dry Cleaning)，可除去附着在腔室的内壁上的反应副生成物等(参照专利文献1)。

[专利文献1]美国专利第6325948号说明书

发明要解决的问题

然而，在上述等离子体处理装置中，每当实行等离子体处理或WLDC时，而且，每当吸附半导体晶片时，载置台的表面状态发生变化。

具体地是，作为由等离子体处理产生的微粒子的反应副生成物， 作为堆积物(deposit)附着在载置台的表面中温度低的部分上。另外，通过WLDC，载置台的表面变得粗糙(被削)。而且，当吸附半导体晶片时，由于半导体晶片的背面在与载置台表面接触的状态下稍微移动，从而使载置台表面的微小凹凸变平滑。

结果，载置台表面和半导体晶片的背面接触的实际面积发生变化，载置台和半导体晶片间的热传导特性发生变化(ESC偏移)。该ESC的偏移受到等离子体处理装置的使用时间(次数)、例如RF电力的供给时间等的影响。

另外，近年来，随着半导体器件的小型化，对蚀刻处理等的等离子体处理要求非常高的加工精度。为了实现这种高加工精度，必需使进行了等离子体处理的各半导体晶片的温度相同。另一方面，如上所述，由于上述ESC偏移使载置台和半导体晶片间的传热导特性发生变化，对半导体晶片的温度有直接影响。因此，在等离子体处理装置中，存在即使在相同的条件、例如相同的RF电力下进行蚀刻处理，各个半导体晶片的温度不同，加工精度发生变化，半导体器件的成品率降低的问题。

发明内容

本发明目的是要提供可以提高半导体器件的成品率的载置台、基板处理装置、等离子体处理装置、载置台的控制方法、等离子体处理装置的控制方法、控制程序、和记录媒体。

解决问题所用的方法

为了达到上述目的，权利要求1所述的载置台，在基板处理装置中静电吸附被处理基板，其特征在于，具有：测定所述被处理基板的温度的测温单元；基于预先设定的参数，进行所述被处理基板的温度调节，使其与目标温度相等的温度调节单元；以及根据由所述测温单元测定的测定温度，控制由所述温度调节单元进行的所述温度调节，从而控制所述被处理基板的温度的基板温度控制单元。

权利要求2记载的载置台，其特征在于，在权利要求1所述的载置台中，所述目标温度为表示在规定时间内的温度变化的温度分布图。

权利要求3记载的载置台，其特征在于，在如权利要求1所述的 载置台中，当所述测定温度与所述目标温度不同时，所述基板温度控制单元调节所述参数。

权利要求4记载的载置台，其特征在于，在权利要求1所述的载置台中，具有当所述测定温度与所述目标温度不同时输出规定的警报的警报输出单元。

权利要求5所述的载置台，其特征在于，在权利要求1所述的载置台中，所述参数由从供给至所述载置台的冷媒温度和流量、供给至所述载置台的电压、电流和电力、以及供给至所述被处理基板背面的传热气体的温度、流量、压力和种类构成的控制参数中选择的至少一种构成。