[发明专利]堆叠型太阳能电池有效
申请号: | 200910003221.3 | 申请日: | 2009-01-15 |
公开(公告)号: | CN101783371A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 李荣仁;苏永司;李世昌 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种堆叠型太阳能电池(tandem solar cell)设计。
背景技术
太阳能电池(Solar Cell)是一种能量转换的光电元件,它是经由太阳光照 射后,把光的能量转换成电能。
堆叠型太阳能电池或多结太阳能电池(multi-junction solar cell)是将两个 或两个以上相同或不同能隙的p-n结元件堆叠起来,制成堆叠型太阳能电池。 设计上将能够吸收较高能量光谱的p-n结元件放在上层,吸收较低能量光谱 的p-n结元件放在下层,透过不同材料的p-n结元件,将光子的能量层层吸 收。可以提高太阳光的吸收,降低传递损失,提升效率。
图1为显示已知堆叠型太阳能电池结构剖面图,该堆叠型太阳能电池结 构包含基板101、缓冲层102、隧穿结(tunnel junction)103及p-n结(p-n junction)104。目前被广泛使用的隧穿结结103包含有重掺杂n型层(n++)1031 和重掺杂p型层(p++)1032,其中重掺杂n型层1031通常为掺杂硅(Si)、碲(Te) 或硒(Se);重掺杂p型层1032通常为掺杂碳(C)、锌(Zn)、镁(Mg)或铍(Be), 一般较常用为碳(C)掺杂,但重掺杂p型层1032在掺杂碳(C)后会产生晶格 常数变小的现象,此现象导致隧穿结103的晶格常数和基板101的差异过大, 而造成外延品质变差,影响隧穿结103的效果。
发明内容
本发明为一种堆叠型太阳能电池装置,包含:基板,第一隧穿结形成于 基板之上,及第一p-n结形成于第一隧穿结之上,其中第一隧穿结包含重掺 杂n型层及合金层,此合金层由重掺杂p型层包含至少一原子序较镓(Ga)为 大的元素所组成,其中此重掺杂p型层与此原子序较大的元素形成合金。
附图说明
根据以上所述的优选实施例,并配合附图说明,读者当能对本发明的目 的、特征和优点有更深入的理解。但值得注意的是,为了清楚描述起见,本 说明书所附的图并未按照比例尺加以绘示。
附图简单说明如下:
图1为显示已知的堆叠型太阳能电池结构剖面图;
图2A为显示依照本发明实施例的堆叠型太阳能电池结构剖面图;
图2B为显示依照本发明另一实施例的堆叠型太阳能电池结构剖面图;
图3为显示依照本发明实施例中隧穿结的合金层加入不同铟(In)含量的 I-V曲线图。
附图标记说明
101、201~基板
102、202~缓冲层
103、203~第一隧穿结
104、204~第一p-n结
105、205~第二隧穿结
106、206~第二p-n结
具体实施方式
以下配合附图说明本发明的实施例。
图2A为显示依照本发明实施例的堆叠型太阳能电池结构剖面图。该堆 叠型太阳能电池结构包括基板201、缓冲层202、第一隧穿结203及第一p-n 结204。其中第一隧穿结203包含有重掺杂n型层(n++)2031和合金层2032。 在本发明中,基板201的材料可选自硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(Si-Ge)、砷化镓 (GaAs)、或磷化铟(InP)。缓冲层202、第一隧穿结的重掺杂n型层2031、第 一隧穿结的合金层2032及第p-n结204的材料可包含一种或一种以上的物 质,其选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)以及磷(P)所构成的组,例如可为 砷化铝铟镓(AlxGa1-x)yIn1-yAs或磷化铝铟镓(AlxGa1-x)yIn1-yP。
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