[发明专利]存储器及其读取方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

多个存储器区，每一个存储器区至少包括：

一目标存储单元；

一源极线，耦接至该目标存储单元的第一端；

一位线，耦接至该目标存储单元的第二端；

一读取控制电路，用以选择性地施加一工作电压至该源极线；

一定位晶体管，该定位晶体管的第一端耦接至该位线；

一锁存器，耦接至该定位晶体管的第二端；

一选择晶体管，用以选择该位线，该选择晶体管的第二端耦接至 该定位晶体管的第一端；

一预充电晶体管，该预充电晶体管的第一端接收该工作电压，该 预充电晶体管的第二端耦接至该定位晶体管的第二端；

一选择开关，该选择开关的第一端耦接至该定位晶体管的第二 端，该选择开关的第二端耦接至该锁存器；以及

一复位开关，该复位开关的第一端耦接至该定位晶体管的第二 端，该复位开关的第二端接收一地电压。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：

于一信号产生期间，该定位晶体管被截止，且该源极线被施加该工作 电压，使得该位线依据该目标存储单元被充电或维持电压电平不变；

于一感测期间，该定位晶体管的第二端的电压电平依据该位线的电压 电平被决定，使得该锁存器于一锁存期间依据该定位晶体管的第二端的电 压电平读取该目标存储单元。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，于一放电期间，该 位线被放电至该地电压，且该复位开关被导通，使得该定位晶体管的第二 端的电压电平为该地电压。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，于一预充电期间， 该复位开关被截止及该预充电晶体管被导通，使得该定位晶体管的第二端 的电压电平为该工作电压，且该定位晶体管导通，使得该位线具有一低电 压。

5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，于该信号产生期间， 该定位晶体管被截止，且该源极线被施加该工作电压，若该目标存储单元 是被擦除，则该位线被充电，若该目标存储单元是被编程，则该位线维持 于该低电压。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，于该感测期间，该 定位晶体管被施加本身的阈值电压及一特定电压之和，且该源极线被施加 该地电压，若该位线被充电，该定位晶体管被截止，该定位晶体管的第二 端的电压电平维持于该工作电压，若该位线维持于该低电压，该定位晶体 管被导通，该定位晶体管的第二端的电压电平被拉低。

7.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，于该信号产生期间， 该复位开关被截止及该预充电晶体管被导通，使得该定位晶体管的第二端 的电压电平为该工作电压，且该定位晶体管被截止，该源极线被施加该工 作电压，若该目标存储单元是被擦除，则该位线被充电，若该目标存储单 元是被编程，则该位线维持于该地电压。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，于该感测期间，该 定位晶体管被施加本身的阈值电压，且该源极线被施加该地电压，若该位 线被充电，该定位晶体管被截止，该定位晶体管的第二端的电压电平维持 于该工作电压，若该位线维持于该地电压，该定位晶体管被导通，该定位 晶体管的第二端的电压电平转变为该地电压。

9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，该锁存器包括一第 一反相器及一第二反相器，该第一反相器的输出端耦接至选择开关的第二 端及该第二反相器的输入端，该第一反相器的输入端耦接至该第二反相器 的输出端。