[发明专利]等离子体处理设备无效

专利信息
申请号: 200910003772.X 申请日: 2009-02-01
公开(公告)号: CN101500370A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 田村一成 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01J37/32;H01L21/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理设备,包括:

射频电源,其相对于参考电势来输出射频功率;

切换装置,其连接到所述射频电源;

电极,其连接到所述切换装置;

阻抗控制装置,其连接在所述电极和所述参考电势之间;

阻抗测量装置,其连接在所述切换装置和所述参考电势之间;以及

控制器,其根据由所述阻抗测量装置所测量的阻抗的值,来控制所述阻抗控制装置,

其中,在等离子体处理时,所述切换装置将所述电极连接到所述射频电源,并且当所述阻抗测量装置进行阻抗测量时,所述切换装置将所述电极连接到所述阻抗测量装置。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中,所述电极是第一电极并且所述切换装置是第一切换装置,所述等离子体处理设备还包括:

第二电极,其被设置为与所述第一电极相对;以及

第二切换装置,其连接在所述第二电极和所述参考电势之间,在所述等离子体处理时该切换装置将所述第二电极连接到所述参考电势,在所述阻抗测量时该切换装置将所述第二电极从所述参考电势断开。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理设备,其中,

等离子体由在所述等离子体处理期间施加在所述第一电极和所述第二电极之间的射频功率产生。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理设备,其中,

所述第一电极和所述阻抗控制装置通过电容器相连接。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理设备,其中,

所述电容器的一个电极由所述第一电极形成。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理设备,其中,所述电容器具有:

所述第一电极;

电介质构件,其形成在所述第一电极的侧表面上;以及

导电构件,其被形成为与所述电介质构件相接触并且与所述第一电极相分离,所述导电构件与所述阻抗控制装置相连接。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理设备,其中,

所述第一切换装置包括开关,以及所述第二切换装置包括开关。

8.根据权利要求6所述的等离子体处理设备,其中,

所述阻抗控制装置具有可变电容器。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中,

所述参考电势为接地。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中,

所述控制器控制所述阻抗控制装置,以使得由所述阻抗测量装置所测量的阻抗值等于一预定的值。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中,所述射频电源是第一射频电源;所述切换装置是第一切换装置;所述阻抗控制装置是第一阻抗控制装置;以及所述阻抗测量装置是第一阻抗测量装置,所述等离子体处理设备还包括:

第二射频电源,其相对于所述参考电势来输出射频功率;

第三切换装置,其连接到所述射频电源;

第三电极,其连接到所述第三切换装置;

第二阻抗控制装置,其连接在所述第三电极和所述参考电势之间;

第二阻抗测量装置,其连接在所述第三切换装置和所述参考电势之间;以及

第二控制器,其根据由所述第二阻抗测量装置所测量的阻抗值来控制所述第二阻抗控制装置,

其中,在等离子体处理时,所述第一切换装置将所述第一射频电源和所述第一电极彼此连接,并且所述第三切换装置将所述第二射频电源和所述第三电极彼此连接,

其中,当所述第一阻抗测量装置进行阻抗测量时,所述第一切换装置将所述第一阻抗测量装置和所述第一电极彼此连接,并且所述第三切换装置将所述第三电极电隔离于所述第二射频电源和所述第二阻抗测量装置,以及

其中,当所述第二阻抗测量装置进行阻抗测量时,所述第一切换装置将所述第一电极电隔离于所述第一射频电源和所述第一阻抗测量装置,并且所述第三切换装置将所述第二阻抗测量装置和所述第三电极彼此连接。

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