[发明专利]半导体制造装置有效
| 申请号： | 200910003808.4 | 申请日： | 2004-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101552230A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/208;H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 斌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
在半导体装置的制造装置的装入室内配置基板；
将所述基板沿第一方向传送至第一处理室；
在所述第一处理室内沿所述第一方向移动所述基板的同时，沿与所述第一方向正交的第二方向对所述基板进行第一处理；
将所述基板沿所述第一方向传送至第二处理室；
在所述第二处理室内沿所述第一方向移动所述基板的同时，沿与所述第一方向正交的所述第二方向对所述基板进行第二处理，
其中，所述第一处理为用等离子体发生装置的等离子体处理和用液滴喷射装置的图案形成中的一方，
并且，所述第二处理为所述等离子体处理和所述图案形成中的另一方，
其中，所述等离子体处理在大气压或在大气压附近进行。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述等离子体处理是成膜处理、刻蚀处理或灰化处理。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述用液滴喷射装置的图案形成是抗蚀剂图案的形成、绝缘膜的形成、半导体的形成或导电膜的形成。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述液滴喷射装置沿所述第二方向移动的同时，在基板上形成图案。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述液滴喷射装置具有多个喷射孔，该喷射孔沿所述第二方向延伸而配置。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述等离子体发生装置沿所述第二方向移动的同时，对基板进行等离子体处理。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中沿所述第二方向配置多个所述等离子体发生装置。
8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中连续地或步进式地沿所述第一方向传送所述基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
