[发明专利]无线芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一膜；

所述第一膜上的第一绝缘膜；

集成电路，所述集成电路包括所述第一绝缘膜上的天线和薄膜晶体管；

覆盖在所述集成电路上的第二绝缘膜；以及

覆盖在所述第二绝缘膜上的第二膜，

其中第一膜与第二膜在所述集成电路外部的区域接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中第一绝缘膜与第二绝缘膜在第一绝缘膜和第二绝缘膜的边缘部分接触。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中第一膜和第二膜包括纤维材料。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中第一膜和第二膜包括树脂。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中第一绝缘膜包括选自由氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和氮氧化硅组成的组中的材料。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中第二绝缘膜包括有机材料。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中集成电路包括存储晶体管。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中存储晶体管包括浮栅电极。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中集成电路包括一次写入式存储器。

10.一种半导体器件，包括：

第一膜；

所述第一膜上的集成电路，包括：

第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的天线；以及

所述天线上的第三绝缘膜；以及

覆盖在所述集成电路上的第二膜，

其中第一膜与第二膜在所述集成电路外部的区域接触。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中第一绝缘膜与第二绝缘膜在第一绝缘膜和第二绝缘膜的边缘部分接触。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中第一膜和第二膜包括纤维材料。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其中第一膜和第二膜包括树脂。

14.如权利要求10所述的半导体器件，其中第一绝缘膜包括选自由氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和氮氧化硅组成的组中的材料。

15.如权利要求10所述的半导体器件，其中第二绝缘膜包括有机材料。

16.如权利要求10所述的半导体器件，其中集成电路包括存储晶体管。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其中存储晶体管包括浮栅电极。

18.如权利要求10所述的半导体器件，其中集成电路包括一次写入式存储器。