[发明专利]用于制造半导体晶圆的方法和设备

权利要求书

1.一种制造半导体晶圆的方法，所述方法包括：

在定位装置的一部分之上施加半导体材料层；

将定位装置和半导体材料引入到预定的热梯度区域中以形成熔 融体，其中该预定的热梯度区域包括预定形核和生长区域，以及

在形核和生长区域中将所述熔融体设置在排热装置附近以形成 至少一个局部冷点以便于在所述至少一个局部冷点诱发晶体形核；

所述排热装置包括承载图案的表面，其中所述表面的至少第一部 分比所述表面的第二部分更靠近所述熔融体使得所述排热装置冷却 所述表面的第一部分附近的所述熔融体的第一部分比冷却所述表面 的第二部分附近的所述熔融体的第二部分更快，由此所述至少一个局 部冷点在所述熔融体的第一部分处形成。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括向所述定位装置施加脱 模涂层使得所述脱模涂层位于所述定位装置和所述半导体材料层之 间，其中采用预定图案和厚度梯度至少其中之一来施加所述脱模涂 层。

3.如权利要求1所述的方法，其中施加半导体材料层包括在施加 在所述定位装置之上的脱模涂层之上施加所述半导体材料，其中所述 定位装置采用预定图案来形成。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成至少一个局部冷点包括在 离所述熔融体预定距离处设置排热装置。

5.如权利要求4所述的方法，其中在离所述熔融体预定距离处设 置排热装置包括在离所述熔融体预定距离处设置形成为具有图案的 排热装置。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述至少一个局部冷点 包括将所述熔融体与所述排热装置的所述至少第一部分接触。

7.如权利要求6所述的方法，其中将所述熔融体与排热装置的至 少一部分接触包括将所述熔融体与所述排热装置的至少图案化部分 接触。

8.一种制造晶圆的方法，所述方法包括：

提供定位装置；

在所述定位装置的上表面之上施加脱模涂层；

在所述脱模涂层的上表面之上沉积半导体材料；

通过将所述脱模涂层和所述半导体材料引入到预定温度梯度区 域来形成熔融体，所述预定温度梯度区域包括形核和生长区域；以及

通过将所述熔融体设置在排热装置附近来应用热图案给所述形 核和生长区域中的熔融体以在所述半导体材料中的至少一个期望位 置诱发形核，所述排热装置具有承载图案的表面，其中所述表面的至 少第一部分比所述表面的第二部分更靠近所述熔融体使得所述排热 装置冷却所述表面的第一部分附近的所述熔融体的第一部分比冷却 所述表面的第二部分附近的所述熔融体的第二部分更快，由此所述至 少一个期望位置形成在所述熔融体的第一部分处。

9.如权利要求8所述的方法，其中施加脱模涂层包括在所述定位 装置的上表面之上施加脱模涂层，其中所述脱模涂层采用预定图案和 厚度梯度至少其中之一来施加。

10.如权利要求8所述的方法，其中沉积半导体材料包括在脱模 涂层的上表面之上沉积半导体材料，其中所述定位装置包括预定图 案。

11.如权利要求8所述的方法，其中应用热图案至所述熔融体包 括靠近所述熔融体设置排热装置。

12.如权利要求11所述的方法，其中靠近所述熔融体设置排热装 置包括靠近所述熔融体设置形成为具有图案的排热装置。

13.如权利要求8所述的方法，其中应用热图案至所述熔融体包 括将所述排热装置的所述表面放置成与所述熔融体的外表面接触。

14.如权利要求13所述的方法，其中将排热装置放置成与所述熔 融体的表面接触包括将所述排热装置的图案化部分放置成与所述熔 融体的外表面接触。

15.如权利要求1所述的方法，其中在所述排热装置附近放置所 述熔融体包括推进所述熔融体以经过所述排热装置。